[實用新型]一種具有集成電路的發光器件無效
| 申請號: | 201020651103.1 | 申請日: | 2010-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN201904337U | 公開(公告)日: | 2011-07-20 |
| 發明(設計)人: | 周玉剛;肖國偉;賴燃興;曾照明;王瑞珍;姜志榮;許朝軍 | 申請(專利權)人: | 晶科電子(廣州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L23/367;H01L23/52 |
| 代理公司: | 廣州新諾專利商標事務所有限公司 44100 | 代理人: | 羅毅萍 |
| 地址: | 511458 廣東省廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 集成電路 發光 器件 | ||
技術領域
本實用新型屬于發光器件的制造領域,涉及一種具有集成電路的發光器件及其制造方法。
背景技術
發光二極管(LED)光源具有高效率、長壽命、不含Hg等有害物質的優點。隨著LED技術的迅猛發展,LED的亮度、壽命等性能都得到了極大的提升,使得LED的應用領域越來越廣泛,從路燈等室外照明到裝飾燈等室內照明,均紛紛使用或更換成LED作為光源。
倒裝焊結構是LED發光器件的其中一種封裝結構,其是以倒裝方式將LED芯片倒裝焊接在襯底上,其相對于傳統的通過金線使LED芯片與襯底的電極電連接的封裝結構具有更高的可靠性及更好的散熱性能,且還可以把一些功能電路集成在襯底上。請參閱圖1,公開號為CN1731592A的中國專利申請公開了一種倒裝焊結構發光二極管,其包括一LED芯片1和一襯底2,該襯底2的上表面設置金屬層22,金屬層22的上表面設置有凸點陣列24。同時,該襯底2上接近金屬層22處設置有一集成電路26,該LED芯片1通過該襯底2上的凸點陣列24與該集成電路26電連接。
由于該集成電路26集成在襯底2的上表面,與LED芯片2的物理距離較近,容易因LED芯片1發出的光輻射導致一系列的光電寄生效應從而影響整個發光器件的穩定性。另外,LED芯片1產生的熱量經襯底2上表面的金屬層22直接傳導到集成電路26中,影響了集成電路26的穩定性。再者,該襯底2上的集成電路26與LED芯片1相鄰,兩者的布局需要互相遷就,限制了襯底2上金屬層22和集成電路26的可用面積,從而局限了設計的靈活性。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現有技術中的缺點與不足,提供一種避免光電寄生效應的具有高穩定性的具有集成電路的發光器件。
一種具有集成電路的發光器件,包括LED芯片和襯底。該LED芯片可以是單芯片、多芯片模組或具有多個單元的芯片等,LED芯片其具有P電極和N電極。該襯底上設置有集成電路、第一金屬電極層、第二金屬電極層和電極層連接部。該集成電路設置在該襯底的下表面,該第一金屬電極層覆蓋在該襯底的上表面,該第二金屬電極層覆蓋在該襯底的下表面并與集成電路連接,該電極層連接部貫穿該襯底上表面和下表面連接該第一電極層和第二電極層。該LED芯片倒裝在該襯底上,LED芯片的P電極和N電極分別與該襯底上的第一金屬電極層連接。
相對于現有技術,本實用新型將集成電路集成于襯底的下表面,LED芯片通過第一金屬電極層、電極層連接部和第二金屬電極層與集成電路電連接,從而以襯底隔開了LED芯片和集成電路結構,避免了LED芯片和集成電路由于相鄰太近而導致的一系列光電寄生效應,提高了整個發光器件的穩定性。
為了能更清晰的理解本實用新型,以下將結合附圖說明闡述本實用新型的具體實施方式。
附圖說明
圖1是現有技術倒裝焊結構發光二極管的結構示意圖。
圖2是本實用新型具有集成電路的發光器件的實施例1的結構示意圖。
圖3是本實用新型具有集成電路的發光器件的實施例2的結構示意圖。
圖4是本實用新型具有集成電路的發光器件的實施例3的結構示意圖。
具體實施方式
實施例1:
請參閱圖2,其是本實用新型具有集成電路的發光器件的實施例1的結構示意圖。該發光器件包括一LED芯片101和一襯底201。
該LED芯片101分別具有P和N兩個電極,電極上設置有金屬焊墊205。
該襯底201具體為一硅基板。一集成電路301集成在該襯底201的下表面內。在該集成電路301兩側的襯底201上分別具有貫穿該襯底201上、下表面的通孔208。一絕緣層202覆蓋在該襯底201的上表面、下表面以及通孔208的內壁。用以與LED芯片101的兩個電極電連接的二個相互絕緣的第一金屬電極層203位于集成電路301兩側,并覆蓋在該襯底201上表面的絕緣層202表面。二個相互絕緣的第二金屬電極層207位于集成電路301兩側,并覆蓋在該襯底201下表面的絕緣層202表面,分別與集成電路301電連接。該通孔208內填充有電極層連接部206,位于該集成電路301同一側的第一金屬電極層203和第二金屬電極層207通過該電極層連接部206電連接。該第一金屬電極層203的表面設置有金屬凸點204。
該LED芯片101倒裝在該襯底201上,LED芯片101的P、N電極上的金屬焊墊205分別與第一金屬電極層203表面的金屬凸點204接合。
該絕緣層202的材料可以選擇二氧化硅、氮化硅、聚對二甲苯、聚酰亞胺PI薄膜或其它聚合物等絕緣材料。
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