[實(shí)用新型]腦皮層癇性放電外引導(dǎo)電極無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020644725.1 | 申請(qǐng)日: | 2010-12-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN201969205U | 公開(kāi)(公告)日: | 2011-09-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梁樹(shù)立 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 梁樹(shù)立 |
| 主分類號(hào): | A61N1/05 | 分類號(hào): | A61N1/05;A61N1/14 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 100048 北京市阜*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 皮層 放電 外引 導(dǎo)電 | ||
【技術(shù)領(lǐng)域】
本實(shí)用新型涉及一種將腦皮層癇性放電引導(dǎo)到顱外的電極裝置,尤其是能減少或控制癲癇發(fā)作的外引導(dǎo)電極。
【背景技術(shù)】
目前,癲癇的治療主要是通過(guò)藥物或手術(shù)治療,其根本目的是減少癇性放電的產(chǎn)生或阻斷其擴(kuò)散,但有40%左右的患者臨床治療效果不佳。通過(guò)臨床檢測(cè)可能得知,在癲癇患者出現(xiàn)癇性放電時(shí),腦皮層內(nèi)的癲癇灶會(huì)在腦皮層內(nèi)產(chǎn)生比頭皮處高10倍甚至更高電壓的電活動(dòng),此時(shí)可通過(guò)高導(dǎo)材料將腦皮層的癇性放電引導(dǎo)到顱內(nèi)相對(duì)低電壓的區(qū)域,從而可以降低顱內(nèi)電壓水平,但目前缺乏這類裝置。
鑒于此,確有必要提供一種腦皮層癇性放電外引導(dǎo)電極來(lái)解決上述問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種腦皮層癇性放電外引導(dǎo)電極,其可有效降低腦皮層部位的電壓水平,達(dá)到減少或控制癲癇發(fā)作的目的。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:一種腦皮層癇性放電外引導(dǎo)電極,包括硅膠主體、設(shè)于硅膠主體一端的頭端觸點(diǎn)、位于硅膠主體另一端的末端電極片及連接所述頭端觸點(diǎn)和末端電極片的導(dǎo)線,所述硅膠主體包括寬度不同的兩段,所述頭端觸點(diǎn)設(shè)于所述硅膠主體寬度較寬的一段,而所述末端電極片位于寬度較窄的一段。
進(jìn)一步地,所述頭端觸點(diǎn)呈圓盤(pán)形,數(shù)量為至少一個(gè)且沿硅膠主體長(zhǎng)度方向分布,所述頭端觸點(diǎn)嵌設(shè)于所述硅膠主體內(nèi)而與硅膠主體成為一體。
進(jìn)一步地,所述導(dǎo)線表面包覆有絕緣層,其嵌設(shè)于所述硅膠主體內(nèi)而與硅膠主體成為一體。
進(jìn)一步地,所述頭端觸點(diǎn)位于顱骨內(nèi)腦皮層上的癲癇灶處,所述末端電極片位于顱骨外表面,所述導(dǎo)線經(jīng)由顱骨上的骨孔連接所述頭端觸點(diǎn)和末端電極片。
進(jìn)一步地,所述末端電極片呈圓盤(pán)形且數(shù)量為至少一個(gè),其位于硅膠主體寬度較窄一段的末端。
進(jìn)一步地,所述頭端觸點(diǎn)和末端電極片中只有頭端觸點(diǎn)帶有硅膠保持層,而所述末端電極片上未設(shè)有無(wú)硅膠保護(hù)層,且該末端電極片位于顱骨外側(cè)無(wú)肌層皮下組織內(nèi)。
相較于現(xiàn)有技術(shù),本實(shí)用新型所述的腦皮層癇性放電外引導(dǎo)電極可有效將顱骨內(nèi)腦皮層處的高電壓癇性放電傳導(dǎo)至顱骨外頭皮下的末端電極片中,從而迅速降低腦皮層部位的電壓水平,可減少或控制癲癇的發(fā)作。
【附圖說(shuō)明】
圖1是本實(shí)用新型腦皮層癇性放電外引導(dǎo)電極應(yīng)用于顱內(nèi)時(shí)的示意圖。
圖2是本實(shí)用新型腦皮層癇性放電外引導(dǎo)電極的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
請(qǐng)參閱圖1和圖2所示,為本實(shí)用新型提供的一種腦皮層癇性放電外引導(dǎo)電極100,其包括硅膠主體10、設(shè)于硅膠主體一端的頭端觸點(diǎn)11、位于硅膠主體10另一端的末端電極片12及連接所述頭端觸點(diǎn)11和末端電極片12的導(dǎo)線13。
請(qǐng)參閱圖1所示,本實(shí)用新型所述的腦皮層癇性放電外引導(dǎo)電極100應(yīng)用于顱內(nèi)的結(jié)構(gòu)示意圖,其中,所述硅膠主體10呈片狀且分為寬度不同的兩段,所述頭端觸點(diǎn)11位于較寬的一段,而所述末端電極片12則位于較窄的一段的末端,所述硅膠主體10較寬的一段位于所述顱骨20內(nèi)的癲癇灶21處,并通過(guò)將硅膠主體10上的頭端觸點(diǎn)11置于癲癇灶21表面并固定,所述頭端觸點(diǎn)11呈圓盤(pán)形且數(shù)量為兩個(gè),其嵌設(shè)于所述硅膠主體10內(nèi)而與硅膠主體10成為?一體,所述癲癇灶21是利用腦電圖等檢查方法確定其在腦皮層23內(nèi)的位置。所述導(dǎo)線13表面包覆有絕緣層,其嵌設(shè)于所述硅膠主體10內(nèi)而與硅膠主體10成為一體,并通過(guò)顱骨20上的骨孔22引出后貼于顱骨20表面,所述末端電極片12呈圓盤(pán)形且數(shù)量為一個(gè)(也可以是多個(gè)),其置于頭皮24下鄰近骨孔22的位置處。
所述兩個(gè)片狀的頭端觸點(diǎn)11和末端電極片12用帶有硅膠絕緣層的導(dǎo)線13相連,其中所述頭端觸點(diǎn)11由于嵌設(shè)于硅膠主體內(nèi)而帶有硅膠保護(hù)層,而所述末端電極片12不帶硅膠保持層且置于頭皮下無(wú)肌層皮下組織內(nèi)。當(dāng)患者產(chǎn)生癇性放電時(shí),腦皮層癲癇灶21位置產(chǎn)生的高電壓癇性放電可以通過(guò)頭端觸點(diǎn)11及導(dǎo)線13傳遞到頭皮24下的末端電極片12中,所述頭皮24下的末端電極片12再經(jīng)過(guò)皮下組織擴(kuò)散,從而迅速降低腦皮層部位的電壓水平,避免局部的癇性放電形成癲癇發(fā)作的臨床癥狀,從而達(dá)到減少或控制癲癇發(fā)作的目的,克服了目前癲癇藥物與手術(shù)治療的不足。
以上所述,僅是本實(shí)用新型的最佳實(shí)施例而已,并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制,均屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍之內(nèi)。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍情況下,利用上述揭示的方法內(nèi)容對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案做出許多可能的變動(dòng)和修飾,均屬于權(quán)利要求書(shū)保護(hù)的范圍。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于梁樹(shù)立,未經(jīng)梁樹(shù)立許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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