[實(shí)用新型]晶體成長(zhǎng)裝置

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020639601.4
• 申請(qǐng)日: 2010-12-02
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN201890954U
• 公開(kāi)（公告）日: 2011-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李謀偉
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 李長(zhǎng)榮實(shí)業(yè)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C30B35/00
• 分類(lèi)號(hào): C30B35/00
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 任默聞

1.一種晶體成長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述的裝置包含：

一坩堝，其系用于承載原料；

一移動(dòng)式頂部加熱器，其系設(shè)置于所述的坩堝的上方，并可相對(duì)于所述的坩堝上下移動(dòng)；及

至少一入料口。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體成長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述的裝置進(jìn)一步包含一槽體，所述的槽體設(shè)有一周壁，所述的周壁設(shè)有所述的至少一入料口，并定義出一內(nèi)部空間以容納所述的坩堝及所述的移動(dòng)式頂部加熱器。

3.如權(quán)利要求2所述的晶體成長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述的裝置包含兩個(gè)設(shè)置于所述的槽體的周壁的入料口。

4.如權(quán)利要求1所述的晶體成長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述的裝置進(jìn)一步包含一設(shè)置于所述的坩堝側(cè)邊的側(cè)邊加熱器。

5.如權(quán)利要求4所述的晶體成長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述的側(cè)邊加熱器及/或所述的移動(dòng)式頂部加熱器為電阻式加熱器或感應(yīng)式加熱器。

6.如權(quán)利要求1所述的晶體成長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述的坩堝的材質(zhì)為石英或金屬。

7.如權(quán)利要求6所述的晶體成長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述的金屬為銥、鉑或鉬。

8.如權(quán)利要求1所述的晶體成長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述的坩堝的表面系涂覆有氮化硅，并經(jīng)燒結(jié)處理。

9.如權(quán)利要求1所述的晶體成長(zhǎng)裝置，其特征在于，所述的槽體的內(nèi)部空間的底部設(shè)有一石墨防漏盤(pán)及一玻璃纖維氈。