[實用新型]掩膜版

有效

• 申請號: 201020636483.1
• 申請日: 2010-11-26
• 公開（公告）號: CN201867584U
• 公開（公告）日: 2011-06-15
• 發明（設計）人: 邱云;林準煥
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G02F1/1362;G02F1/1337;G02F1/1335
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種掩膜版，其特征在于，包括：

對盒設置的第一基板和第二基板；

所述第一基板下方設有陣列像素單元，每個所述像素單元包括一個薄膜晶體管TFT；

所述第二基板上方設有透明導電層；

所述透明導電層和所述陣列像素單元之間填充液晶；

所述透明導電層和所述陣列像素單元表面分別設有配向膜層，用于使液晶分子沿所述配向膜層表面的取向槽排列；

所述第一基板上方設有第一偏光器件；

所述第二基板下方設有第二偏光器件；

還包括驅動單元，用于向所述陣列像素單元施加等級電壓，以控制所述掩模版的入射光通過強度。

2.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一偏光器件與所述第二偏光器件的吸收軸夾角為80-90度。

3.根據權利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一偏光器件與所述第二偏光器件的吸收軸夾角為0-10度。

4.根據權利要求1-3任一項所述的掩膜版，其特征在于，所述第一偏光器件上方設有增亮膜層，用于提高所述掩模版入射光的利用率。

5.根據權利要求4所述的掩膜版，其特征在于，所述第一偏光器件為廣角偏光器件。

6.根據權利要求5所述的掩膜版，其特征在于，所述第二偏光器件為廣角偏光器件。

7.根據權利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述透明導電層為透明銦錫金屬氧化層。