[實用新型]一種用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置有效
| 申請號: | 201020636357.6 | 申請日: | 2010-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN201966193U | 公開(公告)日: | 2011-09-07 |
| 發明(設計)人: | 凱文·皮爾斯 | 申請(專利權)人: | 中微半導體設備(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 張靜潔;徐雯瓊 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 靜電 吸盤 邊緣 保護 保護裝置 | ||
1.一種用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置,其特征在于,所述保護裝置整體上呈現中空的環狀結構,其接觸于基片(40)外邊緣,并與所述基片(40)一起覆蓋在所述靜電吸盤(50)的頂部介電層(51)上;所述保護裝置的外徑不小于所述介電層(51)的外徑。
2.如權利要求1所述用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置,其特征在于,所述保護裝置的高度與所述基片(40)的高度一致,使所述基片(40)嵌設在所述保護裝置中時,所述基片(40)底面與保護裝置的底面齊平,并在所述基片(40)放置到介電層(51)上時,使所述基片(40)的底面能與介電層(51)表面貼合。
3.如權利要求1所述用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置,其特征在于,所述保護裝置是一柔性的薄膜(13)結構;所述薄膜(13)一端與所述基片(40)的上邊緣連接。
4.如權利要求3所述用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置,其特征在于,所述薄膜(13)的另一端垂下,并在所述基片(40)底面的同一水平面上向外延伸,并有足夠的長度,使所述基片(40)與該薄膜(13)連接后在水平方向的長度,與所述介電層(51)的直徑一致。
5.如權利要求1所述用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置,其特征在于,在真空處理腔室外,將所述保護裝置與所述基片(40)的外緣位置配合連接,并使該保護裝置與基片(40)的組合一起被放置到處理腔室內所述靜電吸盤(50)的介電層(51)上。
6.如權利要求1所述用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置,其特征在于,所述保護裝置是由聚酰亞胺制成的。
7.一種用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置,其特征在于,所述保護裝置是一形成在所述基片(40)底部的托護層(20);所述托護層(20)直徑大于其上方的基片(40)直徑,并與所述靜電吸盤(50)頂部介電層(51)的直徑一致,使在所述基片(40)放置到介電層(51)上時,所述托護層(20)完全覆蓋所述介電層(51)表面。
8.如權利要求7所述用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置,其特征在于,所述托護層(20)是由聚酰亞胺制成的。
9.一種用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置,其特征在于,所述保護裝置是環繞所述基片(40)設置的聚焦環(30),其設置在所述介電層(51)上,接觸于所述基片(40)的邊緣位置;所述聚焦環(30)的縱截面呈直角梯形,所述直角梯形靠近介電層(51)中心的內側面(31)為斜坡面或弧面,與該內側面(31)相對的,所述直角梯形的外側面(32)與所述介電層(51)的外緣至少齊平。
10.如權利要求9所述用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置,其特征在于,所述聚焦環(30)的內側面(31)底端到所述介電層(51)圓心的距離,小于所述基片(40)的半徑;使所述基片(40)放置在介電層(51)上時,對應放置在該聚焦環(30)內,并使該基片(40)的外邊緣僅僅覆蓋聚焦環(30)內側面(31)底端向外的一部分。
11.如權利要求10所述用于靜電吸盤邊緣保護的保護裝置,其特征在于,所述聚焦環(30)是由芳綸制成的。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中微半導體設備(上海)有限公司,未經中微半導體設備(上海)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201020636357.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:靜電吸盤組件
- 下一篇:能調整壓力差的空氣壓力控制器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





