[實用新型]具有雙接觸面的靜電吸盤

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020636343.4
• 申請日: 2010-12-01
• 公開（公告）號: CN201966192U
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 倪圖強;吳狄;荒見淳一
• 申請（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 上海信好專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31249
• 代理人: 張靜潔;徐雯瓊

1.一種具有雙接觸面的靜電吸盤，用于產(chǎn)生靜電引力來吸持及固定晶片（30），包含基座（10）和設(shè)置在基座（10）頂部的介電層（20）；所述介電層（20）上放置有晶片（30），其特征在于，

所述介電層（20）包含若干分區(qū)；

其中若干所述分區(qū)通過設(shè)置的平面與所述晶片（30）接觸；另外若干所述分區(qū)分別設(shè)置有凹凸不平的表面與所述晶片（30）接觸，使介電層（20）上所述若干分區(qū)與所述晶片（30）之間的空隙不同。

2.如權(quán)利要求1所述的具有雙接觸面的靜電吸盤，其特征在于，所述若干分區(qū)的凹凸不平的表面上包含多個均勻分布的凸起部（221）或多個均勻分布的凹坑（222）。

3.如權(quán)利要求1所述的具有雙接觸面的靜電吸盤，其特征在于，靠近所述介電層（20）中心位置的若干分區(qū)上平面的粗糙度，大于靠近其邊緣位置的若干分區(qū)上平面的粗糙度。

4.如權(quán)利要求1所述的具有雙接觸面的靜電吸盤，其特征在于，所述介電層（20）的若干分區(qū)包含同圓心設(shè)置的內(nèi)側(cè)分區(qū)（22）和外側(cè)分區(qū)（23）；

所述內(nèi)側(cè)分區(qū)（22）設(shè)置在所述介電層（20）中間，與所述晶片（30）的中心位置接觸；

所述外側(cè)分區(qū)（23）環(huán)繞所述內(nèi)側(cè)分區(qū)（22）設(shè)置，與所述晶片（30）的邊緣位置接觸。

5.如權(quán)利要求4所述的具有雙接觸面的靜電吸盤，其特征在于，所述介電層（20）內(nèi)側(cè)分區(qū)（22）與晶片（30）接觸的表面上設(shè)置有多個均勻分布的凸起部（221）。

6.如權(quán)利要求4所述的具有雙接觸面的靜電吸盤，其特征在于，所述介電層（20）的內(nèi)側(cè)分區(qū)（22）與晶片（30）接觸的表面上設(shè)置有多個均勻分布的凹坑（222）。

7.如權(quán)利要求5或6所述的具有雙接觸面的靜電吸盤，其特征在于，所述介電層（20）的外側(cè)分區(qū)（23）通過平面與晶片（30）接觸。

8.如權(quán)利要求2或5所述的具有雙接觸面的靜電吸盤，其特征在于，所述介電層（20）若干分區(qū)上的凸起部（221）的高度的取值范圍為0.3～0.8μm。

9.如權(quán)利要求2或6所述的具有雙接觸面的靜電吸盤，其特征在于，所述介電層（20）若干分區(qū)上的凹坑（222）的深度的取值范圍為為0.3～0.8μm。

10.如權(quán)利要求1所述的具有雙接觸面的靜電吸盤，其特征在于，所述介電層（20）是導(dǎo)熱的陶瓷層。

11.如權(quán)利要求1所述的具有雙接觸面的靜電吸盤，其特征在于，所述介電層（20）中設(shè)置有若干電極（21）；所述若干電極（21）與直流電源連接，在所述介電層（20）與所述晶片（30）之間形成靜電引力來吸持及固定晶片（30）。

12.如權(quán)利要求1所述的具有雙接觸面的靜電吸盤，其特征在于，所述基座（10）中對應(yīng)所述介電層（20）的若干分區(qū)，分別設(shè)置有若干冷卻管道（11）；所述冷卻管道（11）包含氦氣通道，其將氦氣通至所述晶片（30）與所述介電層（20）之間空隙40。