[實用新型]一種垂直溝道恒流二極管

有效

• 申請號: 201020636313.3
• 申請日: 2010-12-01
• 公開（公告）號: CN201877434U
• 公開（公告）日: 2011-06-22
• 發明（設計）人: 劉橋
• 申請（專利權）人: 貴州煜立電子科技有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/06
• 代理公司: 貴陽中新專利商標事務所 52100
• 代理人: 劉楠

1.一種垂直溝道恒流二極管，其特征在于：包括襯底（4），襯底（4）上設有一層外延層（3），外延層（3）上設有一組P+擴散區（6），在每個P+擴散區（6）之間設有與負電極（1）連接N+?區（7），外延層（3）的邊緣設有絕緣層（2）；襯底（4）與正電極（5）連接，外延層（3）和P+擴散區（6）與負電極（1）連接。

2.根據權利要求1所述的垂直溝道恒流二極管，其特征在于：所述襯底（4）為高摻雜的P型半導體材料襯底。

3.根據權利要求1所述的垂直溝道恒流二極管，其特征在于：所述外延層（3）為低摻雜的N型半導體材料外延層。

4.根據權利要求2或3所述的垂直溝道恒流二極管，其特征在于：所述半導體材料為硅材料。

5.根據權利要求1所述的垂直溝道恒流二極管，其特征在于：所述P+擴散區（6）是在外延層（3）上擴散出的一塊濃硼區域。

6.根據權利要求1所述的垂直溝道恒流二極管，其特征在于：所述N+?區（7）是在外延層（3）上注入離子生成的離子注入區域。

7.根據權利要求1所述的垂直溝道恒流二極管，其特征在于：所述絕緣層（2）為二氧化硅絕緣材料層。