[實用新型]一種高效高壓電極側壁化鍵合式LED芯片

無效

• 申請號: 201020633642.2
• 申請日: 2010-11-29
• 公開（公告）號: CN202103092U
• 公開（公告）日: 2012-01-04
• 發明（設計）人: 鐘偉榮;蔡鳳萍;李剛
• 申請（專利權）人: 上海藍寶光電材料有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/46;H01L33/38;H01L27/15
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高效高壓電極側壁化鍵合式LED芯片，其特征在于：

所述結構包括至少一芯片和一底板，所述芯片包括襯底和生長在一襯底表面的發光外延層，所述襯底具有第一表面和與所述第一表面相反的第二表面；在所述襯底的第二表面形成一反射層，在該襯底第二表面形成的反射層上晶圓鍵合一散熱性良好的底板；以及在所述第一表面上形成發光外延層，其中從所述發光外延層發射的光包括遠離所述襯底方向傳播的光以及向著所述襯底方向傳播的光，向著所述襯底方向傳播的光至少部分地透過所述襯底后被所述反射層反射，該發光外延層的至少一個電極透過側壁和底板相連接。

2.如權利要求1所述的高效高壓電極側壁化鍵合式LED芯片，其特征在于：

所述襯底，可以是不透明導電的硅，透明導電的碳化硅，透明不導電的氧化鋁。

3.如權利要求1所述的高效高壓電極側壁化鍵合式LED芯片，其特征在于：

所述襯底的第一表面和第二表面，可以是平面，圖形，納米結構，光子晶體。

4.如權利要求1所述的高效高壓電極側壁化鍵合式LED芯片，其特征在于：

所述底板，可以是導電導熱的金屬材料或半導體材料。

5.如權利要求1所述的高效高壓電極側壁化鍵合式LED芯片，其特征在于：

在襯底第二表面與底板之間，或襯底第二表面與鍵合層，或襯底第二表面與粘接層之間設置至少有一反射層，反射層可以是金屬層或合金層、單層或多層、DBR全反射膜、DBR全反射膜加金屬層或合金層。

6.如權利要求1所述的高效高壓電極側壁化鍵合式LED芯片，其特征在于：

襯底第二表面上形成的反射層與底板連接可以直接鍵合或通過鍵合層鍵合或通過粘接層粘接，材料可以是金屬材料，合金材料，非金屬材料，有機材料，可以是單層結構，多層結構。

7.如權利要求1所述的高效高壓電極側壁化鍵合式LED芯片，其特征在于：

部分電極側壁包覆管芯，使芯片垂直上下各成正負極。

8.如權利要求1所述的高效高壓電極側壁化鍵合式LED芯片，其特征在于：

發光外延層可以制作成單一LED管芯與數個環形LED管芯，并使其串聯成可承受高電壓交/直流電源的芯片，電流由中心向四周均勻擴散或由四周均勻向內集中。?