[實(shí)用新型]圖案化霧面轉(zhuǎn)印膜結(jié)構(gòu)無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020613801.2 | 申請(qǐng)日： | 2010-11-19 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN201950979U | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-08-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 韓久康 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 琨詰電子（昆山）有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | B41M5/44 | 分類(lèi)號(hào)： | B41M5/44;B44C1/165 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林;王壽剛 |
| 地址： | 215321 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 圖案 化霧面轉(zhuǎn)印 膜結(jié)構(gòu) | ||
1.圖案化霧面轉(zhuǎn)印膜結(jié)構(gòu)，其特征在于包括：一基底薄膜層，包括一由微粒子構(gòu)成的抗眩光劑，使基底薄膜層具有一凹凸粗糙的上表面；一遮蔽層，覆蓋于基底薄膜層上表面的局部區(qū)域，該遮蔽層具有一光滑的上表面，以便于該基底薄膜層的上表面形成一光面圖案；一離型層，設(shè)置于基底薄膜層以及遮蔽層的上表面；一第一硬化膜層，設(shè)置于離型層的上表面；一飾紋層，設(shè)置于第一硬化膜層的上表面；一第二硬化膜層，設(shè)置于飾紋層的上表面；以及一黏著膜層，設(shè)置于第二硬化膜層的上表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化霧面轉(zhuǎn)印膜結(jié)構(gòu)，其特征在于該抗眩光劑微粒子的粒徑為0.1微米至20微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化霧面轉(zhuǎn)印膜結(jié)構(gòu)，其特征在于該抗眩光劑微粒子為氧化硅、氧化鈦、碳黑、碳酸鈣、滑石以及氧化鋇中的一種陶瓷材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化霧面轉(zhuǎn)印膜結(jié)構(gòu)，其特征在于該遮蔽層的厚度為2微米至10微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化霧面轉(zhuǎn)印膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的飾紋層包括油墨層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖案化霧面轉(zhuǎn)印膜結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的飾紋層包括一油墨層以及一金屬薄膜層，油墨層設(shè)置于第一硬化膜層的上表面，金屬薄膜層則設(shè)置于油墨層的上表面；第二硬化膜層設(shè)置于金屬薄膜層與黏著膜層之間。
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B41M5-20 .利用電流
B41M5-24 .燒蝕標(biāo)記法，例如烙標(biāo)記；用電火花作標(biāo)記
