[實用新型]一種LED光觸媒面光源裝置

有效

• 申請號: 201020599506.6
• 申請日: 2010-11-10
• 公開（公告）號: CN202074256U
• 公開（公告）日: 2011-12-14
• 發明（設計）人: 吳明番;柴永芳
• 申請（專利權）人: 吳明番
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V19/00;F21V29/00;A61L9/18;A61L9/00;F21Y101/02;A61L101/02;A61L101/26;A61L101/28
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1.一種覆蓋有光觸媒膜層的LED光觸媒面光源裝置，它包含LED點光源(1)、光催化發生器(2)、散熱器(3)，其特征在于：

所述的光催化發生器(2)，是指在其外表面覆蓋有光觸媒膜層(8)的透明實心幾何體(4)；

所述的實心幾何體(4)：至少有一個外表面是入射面(5)，至少有一個外表面是覆蓋有光觸媒膜層(8)的出光面(6)；

所述的出光面(6)上覆蓋的光觸媒膜層(8)，至少有一層納米顆粒的光觸媒半導體材料涂層，涂層厚度在0.05mm-5mm；

所述的LED點光源(1)是LED芯片陣列，其芯片的發射波長與覆蓋的光觸媒膜層(8)的光觸媒吸收波長相匹配，匹配要求是芯片發射波長偏離度不超出光觸媒材料的有效吸收波長的范圍；

所述的LED點光源(1)固定到散熱器(3)、配置在光催化發生器(2)入射面(5)上。

2.根據權利要求1所述的一種覆蓋有光觸媒膜層的LED光觸媒面光源裝置，其特征在于：光觸媒膜層(8)中的光觸媒基礎材料是激發波長可調的納米二氧化鈦或改性納米二氧化鈦顆粒材料。

3.根據權利要求1所述的一種覆蓋有光觸媒膜層的LED光觸媒面光源裝置，其特征在于：所述的LED點光源(1)芯片波長是380nm-410nm，光觸媒膜層(8)是含有平均粒徑在5nm-15nm、比表面積＞140m²/g的銳鈦礦型晶體的納米二氧化鈦膜層，膜層光學厚度是91.25nm奇數倍到102.5nm的奇數倍；或是將平均粒徑在5nm-15nm、比表面積＞140m²/g的銳鈦礦型晶體的納米二氧化鈦的固態光觸媒膜層，其膜層厚度是0.1mm-3mm。

4.根據權利要求1所述的一種覆蓋有光觸媒膜層的LED光觸媒面光源裝置，其特征在于：所述的LED點光源(1)芯片波長是400nm-780nm，光觸媒膜層(8)是改性納米二氧化鈦顆粒材料的膜層，膜層光學厚度是91.25nm奇數倍到102.5nm的奇數倍；或是將改性納米二氧化鈦覆蓋在LED面光源發光裝置的光催化發生器(2)的出光面上，經過固化形成的固態光觸媒膜層，其膜層厚度是0.1mm-3mm。

5.根據權利要求1所述的一種覆蓋有光觸媒膜層的LED光觸媒面光源裝置，其特征在于：所述的LED點光源(1)芯片波長是450nm-600nm，光觸媒膜層(8)是二氧化鈦膜層，膜層光學厚度是91.25nm奇數倍到102.5nm的奇數倍；或是將TiO₂覆蓋在LED面光源發光裝置的光催化發生器(2)的出光面上，經過固化形成的固態光觸媒膜層，其膜層厚度是0.1mm-3mm。

6.根據權利要求1所述的一種覆蓋有光觸媒膜層的LED光觸媒面光源裝置，其特征在于：所述的實心幾何體(4)的材料是光學塑料，或光學玻璃或光學陶瓷。

7.根據權利要求1所述的一種覆蓋有光觸媒膜層的LED光觸媒面光源裝置，其特征在于：所述的實心幾何體(4)的形狀是實心多面體、實心旋轉體或實心多面體與實心旋轉體相互結合?成的異型實心幾何體。

8.根據權利要求1所述的一種覆蓋有光觸媒膜層的LED光觸媒面光源裝置，其特征在于：所述的LED點光源(1)芯片陣列是由遍布380nm-780nm發射波長的多種芯片預制的LED點光源模組或是SMD貼片模組固定在散熱器上，或是直接將遍布380nm-780nm發射波長的多種芯片集成綁定在散熱器上的光源。

9.根據權利要求1所述的一種覆蓋有光觸媒膜層的LED光觸媒面光源裝置，其特征在于：所述的光觸媒膜層(8)是覆蓋在LED光觸媒面光源裝置外表面，或是外殼、或是帶有涂布光觸媒材料風扇的散熱器(3)。

10.根據權利要求1所述的一種覆蓋有光觸媒膜層的LED光觸媒面光源裝置，其特征在于：所述的光觸媒膜層(8)是預制的光觸媒膜層薄片，薄片厚度是0.1mm-5mm。?