[實用新型]一種原位清潔第III族元素和第V族元素化合物沉積反應腔的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020599487.7
• 申請日: 2010-11-09
• 公開（公告）號: CN201962350U
• 公開（公告）日: 2011-09-07
• 發(fā)明（設計）人: 尹志堯;孟雙;杜志游
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/455;C23C16/458
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種原位清潔第III族元素和第V族元素化合物沉積反應腔的

裝置，包括：

反應腔，其包括側壁，所述側壁包括由電介質材料組成的電介質部分；

基片基座，其位于所述反應腔內部，一片或多片基片位于所述基片基座上并于其表面上沉積所述第III族元素和第V族元素化合物；

電感線圈，環(huán)繞在所述側壁的電介質部分外側；

射頻供應源，與所述電感線圈相連接，用于向反應腔內部提供射頻功率；

清潔氣體源供應裝置，與所述反應腔相連接。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述清潔氣體源供應裝置包括一設置于所述基片基座上方的一氣體分布裝置，其上設置多個氣體分布孔，所述清潔氣體源通過所述氣體分布孔被輸入至所述反應腔內部。

3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述清潔氣體源供應裝置包括一設置于所述基片基座上方的氣體噴射裝置。

4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述清潔氣體源供應裝置包括一設置于所述反應腔側壁的氣體分布環(huán)以及與所述氣體分布環(huán)相連接的多個氣體噴射器。

5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述基片基座在豎直方向上可以調整高度，所述基片基座具有一靠近所述反應腔頂部的一第一位置；所述基片基座具有一遠離或更靠近所述反應腔頂部的一第二位置。

6.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述裝置構成第III族元素和第V族元素化合物薄膜沉積裝置的一部分。

7.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述射頻功率的頻率?至少包括選自2MHZ、13.56MHZ、27MHZ、60MHZ、100MHZ、120MHZ中的一種。

8.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述清潔氣體源包括含H或含Cl或含F的氣體。

9.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述清潔氣體源包括含O的氣體。

10.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述沉積物殘余包括碳氫化合物。

11.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述沉積物殘余包括第III族元素和第V族元素化合物。

12.如權利要求1所述的裝置，其特征在于：所述沉積物殘余包括GaN。

13.一種原位清潔第III族元素和第V族元素化合物沉積反應腔的裝置，包括：

反應腔，其包括頂部，所述頂部包括由電介質材料組成的電介質部分；

基片基座，其位于所述反應腔內部，一片或多片基片位于所述基片基座上并于其表面上沉積所述第III族元素和第V族元素化合物；

電感線圈，設置于所述反應腔頂部的外側并靠近所述電介質部分；

射頻供應源，與所述電感線圈相連接，用于向所述反應腔內部提供射頻功率；

清潔氣體源供應裝置，與所述反應腔相連接。

14.如權利要求13所述的裝置，其特征在于：所述清潔氣體源供應裝置包括一設置于所述基片基座上方的一氣體分布裝置，其上設置多個氣體分布孔，所述清潔氣體源通過所述氣體分布孔被輸入至所述反應腔內部。

15.如權利要求13所述的裝置，其特征在于：所述清潔氣體源?供應裝置包括一設置于所述基片基座上方的氣體噴射裝置。

16.如權利要求13所述的裝置，其特征在于：所述清潔氣體源供應裝置包括一設置于所述反應腔側壁的氣體分布環(huán)以及與所述氣體分布環(huán)相連接的多個氣體噴射器。

17.如權利要求13所述的裝置，其特征在于：所述基片基座在豎直方向上可以調整高度，所述基片基座具有一靠近所述反應腔頂部的一第一位置；所述基片基座具有一遠離或更靠近所述反應腔頂部的一第二位置，。

18.如權利要求13所述的裝置，其特征在于：所述裝置構成第III族元素和第V族元素化合物薄膜沉積裝置的一部分。

19.如權利要求13所述的裝置，其特征在于：所述射頻功率的頻率至少包括選自2MHZ、13.56MHZ、27MHZ、60MHZ、100MHZ、120MHZ中的一種。