[實用新型]一種短路點新型布局的快速晶閘管無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020598360.3 | 申請日： | 2010-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN201853709U | 公開（公告）日： | 2011-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王勇;張海鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州漢安半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/74 | 分類號： | H01L29/74;H01L29/417 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市經(jīng)濟技*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 短路 新型 布局 快速 晶閘管 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種快速晶閘管，所述快速晶閘管包括硅片，所述硅片上設(shè)有門極G、陽極A和陰極K，所述陰極K上設(shè)有用于提高快速晶閘管電學(xué)性能的短路點(1)，其特征在于：所述短路點(1)呈正六邊形且以正六邊形分布，所述正六邊形分布的短路點(1)之間在取向上呈互補的位置關(guān)系。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
