[實用新型]低電壓/低漏電流的TVS二極管器件

有效

• 申請號: 201020595246.5
• 申請日: 2010-11-05
• 公開（公告）號: CN201898136U
• 公開（公告）日: 2011-07-13
• 發明（設計）人: 袁德成;張意遠;俞棟梁;郭銀銀
• 申請（專利權）人: 上海美高森美半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;H01L29/167;H01L29/06
• 代理公司: 上海京滬專利代理事務所(普通合伙) 31235
• 代理人: 周志宏

1.一種低電壓/低漏電流的TVS二極管器件，包括有由中間層單晶硅本體、依附在中間層單晶硅本體的上摻雜層和下摻雜層組成的芯片體、鈍化保護層、上電極金屬層、下電極金屬層，其特征在于，所述由上摻雜層為擴散形成的P型硼擴散區及P型硼擴散區的中間段具有P/P⁺/N/N⁺結構的P型鋁擴散區組成，P型硼擴散區外側單晶硅本體表面附有鈍化保護層，下摻雜層為擴散形成的N型磷擴散區，上電極金屬層位于兩鈍化保護層之間的P型硼擴散區及P型鋁擴散區的外側，下電極金屬層位于下摻雜層N型磷擴散區的外側。