[實用新型]一種圖像傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020575586.1 | 申請日: | 2010-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN201877429U | 公開(公告)日: | 2011-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 霍介光 | 申請(專利權(quán))人: | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,包含位于襯底表面的多個感光單元,其特征在于,還包含:
位于感光單元表面的介質(zhì)層,位于介質(zhì)層內(nèi)和介質(zhì)層表面的金屬層,位于介質(zhì)層表面的金屬層包括至少兩個金屬焊墊;
覆蓋所述介質(zhì)層和金屬層的過渡層,所述過渡層厚度小于金屬焊墊的厚度,表面有凹槽;
位于所述過渡層表面的彩色濾光片,所述彩色濾光片與所述過渡層相鄰的表面有朝向所述過渡層的凸起;
位于所述彩色濾光片表面的平坦層;
以及位于所述平坦層表面的多個微透鏡,所述微透鏡朝向所述平坦層的表面為平面,背向所述平坦層的表面為凸面。
2.依據(jù)權(quán)利要求1的圖像傳感器,其特征在于,所述過渡層表面的凹槽位于介質(zhì)層表面相鄰的金屬焊墊之間。
3.依據(jù)權(quán)利要求1的圖像傳感器,其特征在于,所述過渡層表面的凹槽的深度為4000~6000埃。
4.依據(jù)權(quán)利要求1的圖像傳感器,其特征在于,所述過渡層的厚度為1000~3000埃。
5.依據(jù)權(quán)利要求1至4中的任意一項的圖像傳感器,其特征在于,所述過渡層是雙層結(jié)構(gòu)。
6.依據(jù)權(quán)利要求5的圖像傳感器,其特征在于,所述過渡層包含依次位于金屬層和暴露的介質(zhì)層表面的緩沖層和保護層。
7.依據(jù)權(quán)利要求1的圖像傳感器,其特征在于,所述彩色濾光片表面的凸起的位置與所述過渡層表面的凹槽的位置相對應(yīng)。
8.依據(jù)權(quán)利要求1或7的圖像傳感器,其特征在于,所述過渡層表面的凹槽的深度為4000~6000埃。?
9.依據(jù)權(quán)利要求6的圖像傳感器,其特征在于,所述緩沖層的材料為二氧化硅。
10.依據(jù)權(quán)利要求6的圖像傳感器,其特征在于,所述保護層的材料為氮化硅。
11.依據(jù)權(quán)利要求1的圖像傳感器,其特征在于,還包括:位于微透鏡表面的低折射率的有機薄膜。
12.依據(jù)權(quán)利要求11的圖像傳感器,其特征在于,所述低折射率的有機薄膜的折射率為1.1~1.4。?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





