[實用新型]用于氧化物半導(dǎo)體薄膜生長的水汽外延裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020559163.0
• 申請日: 2010-09-29
• 公開（公告）號: CN201826011U
• 公開（公告）日: 2011-05-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孟祥東;曾祥華;陳小兵
• 申請（專利權(quán)）人: 揚州大學(xué)
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/46
• 代理公司: 揚州市錦江專利事務(wù)所 32106
• 代理人: 江平

1.用于氧化物半導(dǎo)體薄膜生長的水汽外延裝置，包括水汽產(chǎn)生系統(tǒng)和立式反應(yīng)室，其特征在于所述立式反應(yīng)室內(nèi)設(shè)有一個上加熱器和一個下加熱器，所述上加熱器和下加熱器布置在一下豎直方向上；所述上加熱器為以石墨為加熱基體的電阻加熱裝置；所述下加熱器為以石英片為加熱基體的電阻加熱裝置；所述水汽產(chǎn)生系統(tǒng)連接在所述立式反應(yīng)室的一側(cè)，與該側(cè)相對的另一側(cè)設(shè)置廢氣排出孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于氧化物半導(dǎo)體薄膜生長的水汽外延裝置，其特征在于所述下加熱器通過升降桿連接在立式反應(yīng)室內(nèi)。