[實(shí)用新型]硅片鍍膜載板無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020548045.X | 申請日: | 2010-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN201793736U | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張矚君 | 申請(專利權(quán))人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務(wù)所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213031 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅片 鍍膜 | ||
1.一種硅片鍍膜載板,其特征是:在載板(1)的前端與后端分別安裝一條垂直載板前進(jìn)方向的勻流條(2),勻流條(2)高出載板的上端和下端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片鍍膜載板,其特征是:所述的勻流條(2)高出載板上端2~10mm,高出載板下端2~10mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的硅片鍍膜載板,其特征是:所述的勻流條(2)為石墨材質(zhì)。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的





