[實(shí)用新型]一種顯示面板的閘極驅(qū)動(dòng)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020545996.1
• 申請(qǐng)日: 2010-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN201956353U
• 公開（公告）日: 2011-08-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡明翰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳華映顯示科技有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/41
• 代理公司: 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237
• 代理人: 張全文

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型為有關(guān)一種顯示面板的閘極驅(qū)動(dòng)電路，尤指一種應(yīng)用于GIP(Gate?in?panel)的顯示面板的閘極驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)

功能先進(jìn)的顯示器已漸成為現(xiàn)今消費(fèi)電子產(chǎn)品的重要特色，其中液晶顯示器已經(jīng)逐漸為各種電子設(shè)備如電視、行動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記型計(jì)算機(jī)屏幕所廣泛應(yīng)用。

為了節(jié)省制造成本，目前有一種直接將掃描驅(qū)動(dòng)電路的功能直接做在玻璃基板上的面板，稱之為Gate?in?Panel(GIP)面板。在采用Gate?in?Panel(GIP)技術(shù)的面板中，是利用面板側(cè)邊的一排GIP輸出級(jí)(output?stage)由上到下依序輸出掃描信號(hào)的波形到顯示區(qū)的閘極線以取代傳統(tǒng)閘極驅(qū)動(dòng)器的功能。請(qǐng)參閱圖1，圖1是每一GIP輸出級(jí)50的等效電路圖。因?yàn)镚IP輸出級(jí)50須對(duì)整條閘極線充電，所以上拉(pull?up)晶體管T1必須提供高電流；若上拉晶體管T1無法提供足夠的電流(即元件輸出能力不足時(shí))，將使GIP輸出級(jí)50無法正常工作，面板即無法正常顯示。除了輸出能力之外，GIP輸出級(jí)50另一項(xiàng)必須注意的特性是消耗功率。由于GIP輸出級(jí)50在輸出頻率信號(hào)CLK時(shí)所消耗的功率較大，而且頻率信號(hào)CLK所消耗的功率還會(huì)視閘極在線的電容負(fù)載大小決定。

請(qǐng)參閱圖2，圖2是GIP輸出級(jí)50的上拉晶體管T1的電路布局圖。在所有的電容負(fù)載中，上拉晶體管T1是以金屬層SD(斜線區(qū)域)與金屬層GE(網(wǎng)點(diǎn)區(qū)域)之間所夾的C_gd電容為最大，故C_gd電容大小就是影響功率消耗的最大因素。

一般欲提升GIP輸出級(jí)50輸出電流的作法是增加上拉晶體管T1的寬長(zhǎng)比(W/L)比。但此作法也會(huì)增大C_gd電容，使功率消耗也隨之增加，故輸出能力與功率消耗之間呈權(quán)衡(tradeoff)的關(guān)系。當(dāng)有需要調(diào)整GIP輸出能力或功率消耗時(shí)，一般會(huì)以修改光罩的GIP布局方式來進(jìn)行，用來調(diào)整上拉晶體管T1的大小。當(dāng)產(chǎn)品有低溫的設(shè)計(jì)規(guī)格時(shí)，因?yàn)槠潆娏鲿?huì)隨溫度下降而下降，故上拉晶體管T1的W/L比需要增大才能正常操作。若產(chǎn)品(如筆記型計(jì)算機(jī))有低功率消耗的設(shè)計(jì)規(guī)格，則其上拉晶體管T1的W/L比應(yīng)盡可能縮小以降低功率消耗。

如果要調(diào)整上拉晶體管T1的輸出能力或功率消耗，由于沒有預(yù)留修改上拉晶體管寬長(zhǎng)比的空間，所以必須重新使用五道光罩制程來重新設(shè)計(jì)上拉晶體管T1的布局。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是提供一種可調(diào)整消耗功率與輸出能力的顯示面板的閘極驅(qū)動(dòng)電路。

本實(shí)用新型是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種顯示面板的閘極驅(qū)動(dòng)電路，其包含第一金屬層和第二金屬層。該第一金屬層包含第一金屬區(qū)、第二金屬區(qū)和多個(gè)長(zhǎng)條金屬區(qū)，該第一金屬區(qū)包含多個(gè)U型缺口，該長(zhǎng)條金屬區(qū)從該第二金屬區(qū)突出，每一長(zhǎng)條金屬區(qū)對(duì)應(yīng)置入其中之一U型缺口，其中該長(zhǎng)條金屬區(qū)的兩側(cè)邊與該U型缺口的兩側(cè)邊的間距小于該長(zhǎng)條金屬區(qū)的頂邊與該U型缺口的底邊的間距。第二金屬層設(shè)置于該第一金屬層之下。對(duì)該第一金屬層施用一光罩制程調(diào)整該長(zhǎng)條金屬區(qū)的長(zhǎng)度，以調(diào)整該第二金屬層與每一長(zhǎng)條金屬區(qū)重疊之處的長(zhǎng)度，該第二金屬層與每一長(zhǎng)條金屬區(qū)重疊之處形成一上拉晶體管的電容。

具體地，所述第一金屬區(qū)為全部重疊于所述第二金屬層。

具體地，所述上拉晶體管形成于一玻璃基板上。

本實(shí)用新型的另一目的是提供一種可調(diào)整消耗功率與輸出能力的顯示面板的閘極驅(qū)動(dòng)電路，其包含第一金屬層和第二金屬層。該第一金屬層包含第一金屬區(qū)、第二金屬區(qū)和多個(gè)長(zhǎng)條金屬區(qū)，該第一金屬區(qū)包含多個(gè)U型缺口，該長(zhǎng)條金屬區(qū)從該第二金屬區(qū)突出，每一長(zhǎng)條金屬區(qū)對(duì)應(yīng)置入其中之一U型缺口，其中該長(zhǎng)條金屬區(qū)的兩側(cè)邊與該U型缺口的兩側(cè)邊的間距小于該長(zhǎng)條金屬區(qū)的頂邊與該U型缺口的底邊的間距。該第二金屬層設(shè)置于該第一金屬層之下，該第二金屬層的側(cè)邊未超過該U型缺口的開口。對(duì)該第二金屬層施用一光罩制程調(diào)整該第二金屬層的寬度，以調(diào)整該第二金屬層與每一長(zhǎng)條金屬區(qū)重疊之處的長(zhǎng)度，該第二金屬層與每一長(zhǎng)條金屬區(qū)重疊之處形成一上拉晶體管的電容。

具體地，所述上拉晶體管形成于一玻璃基板上。

在本實(shí)用新型中，本實(shí)用新型面板模組只需一道光罩制程來改變第一金屬層的長(zhǎng)條金屬區(qū)的長(zhǎng)度或是改變第二金屬層的寬度，就可以改變上拉晶體管的W/L比或是改變電容大小。因此本實(shí)用新型面板模組的閘極驅(qū)動(dòng)電路如要后續(xù)調(diào)整輸出能力與功率消耗時(shí)，只需改一道光罩即可因應(yīng)不同產(chǎn)品規(guī)格需求，故擁有較大的設(shè)計(jì)彈性。

附圖說明