[實用新型]一種接收信號強度檢測電路

無效

• 申請號: 201020539629.0
• 申請日: 2010-09-20
• 公開（公告）號: CN201854285U
• 公開（公告）日: 2011-06-01
• 發明（設計）人: 吳建輝;徐震;陳超;竺磊;徐毅
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H04B17/00
• 分類號: H04B17/00
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

技術領域

本實用新型涉及一種接收信號強度檢測電路(Receive?Signal?Strength?Indicator，簡稱RSSI)。

背景技術

在無線收發機結構中，接收信號強度檢測電路的作用在于檢測鏈路中信號的強度，將檢測結果輸出到模擬/數字轉換器(A/D)、基帶處理電路，進而產生控制信號，調整鏈路中相關模塊(如低噪聲放大器、功率放大器、PGA等)的工作狀態，確保系統能夠正常的工作。

接收信號強度檢測電路的主要指標包括監測信號的動態范圍、對鏈路的影響、線性、穩定性。監測信號動態范圍應該盡可能的大，覆蓋鏈路中信號的整個變化范圍。對鏈路影響應該小，不影響鏈路的正常工作。具有優良的線性，避免產生檢測誤差。具有好的穩定性，避免電路工作狀態受外界環境的影響，如溫度。

一般的接收信號強度檢測電路可以根據信號檢測模式分類，包括峰值檢測、RMS檢測和功率檢測。峰值檢測是指對接收信號的峰值進行檢測。RMS檢測是指對信號的均方根值進行檢測。功率檢測是指對信號的功率(即dBm值)進行檢測。

基于對數放大器的接收信號強度檢測電路是針對信號的功率檢測，主要是根據dBm值計算公式：

Power(dBm)=10log10(V2rms/501mW)]]>

由公式可見，dBm值與信號幅度呈對數關系，所以可以利用對數放大器實現接收信號強度檢測電路。

傳統的基于對數放大器的接收信號強度檢測電路，如參考文獻《A?CMOSLogarithmic?IF?Amplifier?with?Unbalanced?Source-Coupled?Pairs》所介紹，采用非平衡的源級耦合對、交叉耦合的輸入級和平行連接的輸出級。非平衡的源級耦合對中的晶體管采用兩種不同尺寸(β和Kβ)，根據K值的不同，得到不同的輸入輸出關系曲線。對數放大器的輸入輸出關系在輸入信號的一定范圍內呈現對數關系，這個范圍即接收信號強度檢測電路的工作范圍。

實際應用時可以將多組不同尺寸(β)的非平衡的源級耦合對并聯，擴展接收信號強度檢測電路的檢測范圍。

實用新型內容

發明目的：為了克服現有技術中存在的不足，本實用新型提供一種寬動態范圍、線性度優良、穩定性好的的新型接收信號強度檢測電路。

技術方案：為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案為：

一種接收信號強度檢測電路，采用非平衡源級交叉耦合對、局部正反饋負載和輸出端鉗位電路三部分級聯，在檢測范圍內，使輸入信號強度(dBm)和輸出直流電平(V)之間實現線性關系。該接收信號強度檢測電路主要包括非平衡源級交叉耦合對電路、局部正反饋負載電路和輸出端鉗位電路三部分：

所述非平衡源級交叉耦合對電路包括第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第三PMOS晶體管、第四PMOS晶體管、第五PMOS晶體管、第六PMOS晶體管、第七PMOS晶體管；

所述局部正反饋負載電路包括第八NMOS晶體管、第九NMOS晶體管、第十NMOS晶體管、第十一NMOS晶體管、第十二NMOS晶體管、第十三NMOS晶體管、第十四NMOS晶體管、第十五NMOS晶體管、第十六NMOS晶體管、第十七NMOS晶體管、第十八NMOS晶體管、第十九NMOS晶體管、第二十PMOS晶體管、第二十一PMOS晶體管、第二十二NMOS晶體管、第二十三NMOS晶體管；

所述輸出端鉗位電路包括負載電阻、第二十四PMOS晶體管、運算放大器和實現對非平衡源級交叉耦合對電路以及局部正反饋負載電路的復制的輸出偏置電位提供電路Replica；