[實用新型]一種肖特基雙胞芯片

有效

• 申請號: 201020537051.5
• 申請日: 2010-09-21
• 公開（公告）號: CN201812819U
• 公開（公告）日: 2011-04-27
• 發明（設計）人: 薛列龍
• 申請（專利權）人: 如皋市大昌電子有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L29/872;H01L23/498
• 代理公司: 北京一格知識產權代理事務所 11316
• 代理人: 趙紹增

技術領域

本實用新型涉及一種肖特芯片，特別涉及一種熱特性一致、可靠性高的肖特基雙胞芯片。

背景技術

肖特基二極管是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開關電源、變頻器、驅動器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。

在應用于各類開關電源的二次側整流時，該類電源要求兩只肖特基二極管工作時須具備相同的電特性。而傳統的肖特基二極管為單顆芯片結構，裝配時，兩單獨的單顆肖特基芯片封裝后成為一個整體。該種結構的肖特基二極管熱特性無法趨于一致，產品的可靠性存在缺陷，且封裝時裝片效率低。

實用新型內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種熱特性一致、可靠性高的肖特基雙胞芯片。

為解決上述技術問題，本實用新型的技術方案為：一種肖特基雙胞芯片，從下到上依次包括陰極金屬層、N++襯底、N-外延層、勢壘層、陽極金屬層和氧化層，其創新點在于：所述陽極金屬層為兩片相互獨立不接觸的陽極金屬，在所述兩陽極金屬外均設有一圈用于消除邊緣區域電場的氧化層。

本實用新型的優點在于：在用于各類開關電源的二次側整流時，兩片陽極金屬分別與氧化層、N-外延層、N++襯底、陰極金屬層構成一個肖特基芯片結構，兩者的電特性趨于一致。封裝時，在金屬框架上制作成成管，兩片陽極金屬分別連接一引線，陰極金屬層與金屬框架連接，芯片上的兩個獨立管芯發出的熱通過同一襯底散發，故芯片的熱特性趨于一致，很好的提高了產品的可靠性，另外由于封裝時只需一次裝片，提高了生產效率。

附圖說明

附圖為本實用新型肖特基雙胞芯片結構示意圖。

具體實施方式

如附圖所示，本實用新型的肖特基雙胞芯片從下到上依次包括陰極金屬層1、N++襯底2、N-外延層3、勢壘層4、陽極金屬層5和氧化層6，其中，陽極金屬層5為兩片相互獨立不接觸的陽極金屬5a和陽極金屬5b，氧化層6設在在陽極金屬5a、5b外用于消除邊緣區域電場。陽極金屬5a、5b與N-外延層3之間分別形成獨立的勢壘層4。