[實用新型]一種實現自動化基片傳輸的MOCVD處理系統

有效

• 申請號: 201020534463.3
• 申請日: 2010-09-17
• 公開（公告）號: CN201901700U
• 公開（公告）日: 2011-07-20
• 發明（設計）人: 尹志堯;荒見淳一;陶珩
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備(上海)有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/18
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種實現自動化基片傳輸的金屬有機物化學氣相沉積處理系統，包括：

具有若干個密封門并保持真空環境的傳輸室，其內部設置有第一傳輸裝置，所述第一傳輸裝置設置有至少一個可以沿所述傳輸室所在的平面自由旋轉和伸縮的傳送臂；

與所述若干個密封門中的至少一個相連接的真空鎖，所述真空鎖內部設置有至少一個載片盤托架，每個所述載片盤托架上可以放置有一個載片盤，所述載片盤上可以容納多片基片，所述真空鎖用于連接所述傳輸室和外界大氣環境，以在不損失所述傳輸室內的真空的前提下在外界大氣環境和所述傳輸室之間對所述載片盤進行傳輸；

沿所述傳輸室周邊設置的至少一個反應室，每一個反應室與所述若干個密封門中的一個相連接，所述每一個反應室內放置至少一個所述載片盤，并對其上的多片基片進行金屬有機物化學氣相沉積處理；以及

所述第一傳輸裝置的傳送臂被設置成在所述真空鎖和所述多個反應室之間經過所述密封門傳送所述載片盤。

2.根據權利要求1所述的處理系統，其特征在于，所述處理系統還包括與所述真空鎖相連接的預裝片子系統。

3.根據權利要求2所述的處理系統，其特征在于，所述預裝片子系統包括：

基片盒，其內部容納有多片基片；以及

裝片室，其一側與所述基片盒相連接，另一側與所述真空鎖相連接，所述裝片室內設置有第二傳輸裝置、載片盤托架、載片盤以及第三傳輸裝置，所述載片盤放置于所述載片盤托架上，所述第二傳輸裝置設置于所述基片盒和所述載片盤托架之間，用于在二者之間取、放基片，所述第三傳輸裝置設置于所述載片盤托架和所述真空鎖之間，用于在二者之間取、放載片盤。

4.根據權利要求1所述的處理系統，其特征在于，所述第一傳輸裝置包括兩個可以沿所述傳輸室所在的平面自由旋轉和伸縮的傳送臂，所述兩個傳送臂可以各自單獨旋轉指向不同的方向，以完成所述載片盤的取放。

5.根據權利要求4所述的處理系統，其特征在于，所述第一傳輸裝置的兩個傳送臂可以隨所述第一傳輸裝置的主軸上下移動，以調整傳送臂所指向的平面的高度。

6.根據權利要求1所述的處理系統，其特征在于，所述載片盤上設置有多個基片容納槽，每一個基片容納槽內放置一片基片。

7.根據權利要求1所述的處理系統，其特征在于，所述真空鎖還包括至少一個升舉裝置和至少一個載片盤容納箱，所述多個載片盤托架設置于所述載片盤容納箱內，其中：

所述升舉裝置的下端固定于所述真空鎖下表面，其上端固定于所述載片盤容納箱的下表面，其可以沿豎直方向上下移動所述載片盤容納箱，以使得其中的載片盤能夠對準設置于所述真空鎖和所述傳輸室之間的密封門并能夠通過所述密封門傳輸至傳輸室。

8.根據權利要求1所述的處理系統，其特征在于，所述傳輸室包括多個連接面，每個連接面設置有兩個連接口，所述連接口連接于下列各項的任一項：反應室，真空鎖，預裝片子系統，熱退火腔室，清潔腔室，基片熱處理腔室。

9.根據權利要求1所述的處理系統，其特征在于，所述傳輸室大體呈四方形，所述真空鎖連接于所述四方形的一邊，所述四方形的其他邊的位置處分別連接有所述多個反應室。

10.根據權利要求9所述的處理系統，其特征在于，所述四方形的其他邊的位置處分別各連接有兩個反應室。

11.根據權利要求1所述的處理系統，其特征在于，所述每一個反應室內同時可以容納至少兩個所述載片盤。

12.根據權利要求1所述的處理系統，其特征在于，所述處理系統還包括一個連接于所述傳輸室的若干個密封門中的至少一個的基片熱處理腔室，用于對所述基片進行降溫或預加熱處理。