[實用新型]單相整流橋

有效

• 申請號: 201020530492.2
• 申請日: 2010-09-15
• 公開（公告）號: CN201838587U
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: 蔣陸金;臧凱晉
• 申請（專利權）人: 上海美高森美半導體有限公司
• 主分類號: H01L25/03
• 分類號: H01L25/03;H01L23/14;H01L23/28;H02M7/04
• 代理公司: 上海京滬專利代理事務所(普通合伙) 31235
• 代理人: 周志宏

技術領域：

本實用新型涉及一種半導體器件，更具體地說涉及一種單相整流橋。

背景技術：

在電力半導體模塊的發展中，隨著集成度的提高，體積減小，使得單位散熱面積上的功耗增加，散熱成為模塊制造中的一個關鍵問題，而傳統的模塊結構如焊接式、或壓接式，已無法成功地解決散熱問題。因此對處于散熱底板和芯片之間的導熱絕緣材料提出了新要求。

實用新型內容：

本實用新型的目的是針對現有技術不足之處而提供一種散熱性能好的、性能穩定的、壽命長耐用的單相整流橋。

本實用新型的目的是通過以下措施來實現：一種單相整流橋，包括有殼體、一組由玻璃鈍化的高壓芯片組成的橋式整流器，其特征在于：還有由銅基板、陶瓷基片、銅墊板依次層疊連接的基礎件；所述橋式整流器下底面與基礎件的銅墊板焊接連接，橋式整流器及基礎件由環氧樹脂灌封在殼體中，橋式整流器接線端子外伸出殼體。

與現有技術相比，由于采用了本實用新型的單相整流橋，具有以下優點：

1)采用由銅墊板、陶瓷基片組成的覆銅陶瓷基板材料，具有高導熱率，加之高純厚銅基板的高熱容量和高熱擴散能力，與同類產品相比具有強的散熱性能各絕緣性能，產品耐壓達到2.5KV以上；2)所選銅墊板、陶瓷基片及銅基板與硅芯片的熱膨脹率相近，故熱膨脹內應力小、性能穩定、使用壽命長。

附圖說明：

圖1為本實用新型實施例內部結構示意圖。

圖2為圖1實施例整流橋電路原理圖。

具體實施方式：

下面結合附圖對具體實施方式作詳細說明：

圖1～圖2中，一種單相整流橋，包括有殼體8、一組由玻璃鈍化的高壓芯片組成的橋式整流器9，所述殼體8底面由下至上依次層疊有銅基板1，陶瓷基片2，銅墊板3，所述橋式整流器9由連橋4，二極管芯片6，交、直流接線端子5組成，橋式整流器9下底面與銅墊板3焊接連接，橋式整流器9由環氧樹脂7灌封在殼體8中，橋式整流器接線端子外伸出殼體。

本實用新型采用由銅墊板、陶瓷基片組成的覆銅陶瓷基板材料，銅墊板能夠有效與二極管芯片焊接，起到良好的過渡連接作用，陶瓷基片具有絕緣性能好，能有效降低焊接時的機械應力，傳導熱性能佳的特有性能。位于最底部的銅基板具有高熱容量和高熱擴散能力，二極管芯片采用本公司經玻璃鈍化的高壓芯片，通過特有的氮化硅制程工藝，采用了背面切割工藝，避免了正面切割可能起的玻璃裂紋、硅裂、背崩等可靠性問題，保證了組成的橋式整流器具有耐高溫、耐高壓特性及高可靠性，本產品耐壓能達到2.5KV以上。

上述實施例并不構成對本實用新型的限制，凡采用等同替換或等效變換的形式所獲得的技術方案，均落在本實用新型的保護范圍之內。