[實(shí)用新型]一種四結(jié)化合物半導(dǎo)體太陽能光伏電池芯片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020502446.1 | 申請(qǐng)日： | 2010-08-23 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN201936889U | 公開（公告）日： | 2011-08-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王智勇;李建軍;堯舜 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 北京工業(yè)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | H01L31/04 | 分類號(hào)： | H01L31/04;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203 | 代理人： | 魏聿珠 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 化合物 半導(dǎo)體 太陽能 電池 芯片 | ||
1.一種四結(jié)化合物半導(dǎo)體太陽能光伏電池芯片，其特征在于：以鍺Ge單晶片為襯底依次生長底電池，GaAs構(gòu)成的成核層，GaInAs構(gòu)成的緩沖層，n-GaInAs構(gòu)成的勢壘層I，n++AlGaAs和p++GaInAs構(gòu)成的隧道結(jié)，p+GaInAs構(gòu)成的勢壘層II，第二結(jié)電池，n+AlGaInP/AlInAs構(gòu)成的窗口層，n++GaInAs和p++AlGaAs構(gòu)成的第二隧道結(jié)，p+GaInP構(gòu)成的第二勢壘層，由p-GaInP和n-GaInP第三結(jié)電池芯片，由n+AlInP構(gòu)成的第二窗口層，由n++AlInAs和p++AlInAs構(gòu)成的第三隧道結(jié)，由n+AlInAs構(gòu)成的第三勢壘層，由p-AlInAs和n-AlInAs構(gòu)成的頂電池芯片，由n+AlInAs構(gòu)成的第三窗口層，由n+AlInAs構(gòu)成的歐姆接觸層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種四結(jié)化合物半導(dǎo)體太陽能光伏電池芯片，其特征是：采用半導(dǎo)體單晶片為襯底采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積或分子束外延方法生長多結(jié)太陽電池芯片芯片。?
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
