[實用新型]帶光功率探測的可調光學衰減器

無效

• 申請號: 201020501525.0
• 申請日: 2010-08-23
• 公開（公告）號: CN201804146U
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發明（設計）人: 呂海峰
• 申請（專利權）人: 深圳市易飛揚通信技術有限公司
• 主分類號: G02B6/42
• 分類號: G02B6/42
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

【技術領域】

本實用新型涉及可調光衰減器，特別涉及一種帶光功率探測的可調光學衰減器。

【背景技術】

隨著光纖通信技術的迅速發展，光波分復用技術(Wavelength?Division?Multiplexing，簡稱WDM)作為建設大容量光傳輸網的最佳手段得到越來越廣泛的應用。而可調光學衰減器的應用，不僅能使光纖傳輸的各路光強保持一致并得到相同的放大，從而使系統正常運行并能保證系統的較長距離傳輸，而且還能提高接收器的動態響應范圍，因此，可調光學衰減器成為光纖通信系統中的一個重要器件。在多個波長(信道)的波分復用系統的網絡管理中，往往需要在線監測光纖線路的光性能。這些性能包括：光波長，各波長(信道)的光功率，光信噪比等。而光功率的檢測是光性能監測的基本要求。普遍的光波分復用系統需要對各個波長(信道)的功率進行監測。各波長(信道)的光功率可以提供傳輸系統一定的光性能信息，以利于系統反饋。

以往傳統的信道光功率的探測，如圖1所示是采用可調光學衰減器(Variable?Optical?Attenuator，簡稱VOA)模塊1和光功率探測器(Photodetector，簡稱PD)模塊2兩個分立的模塊實現的。圖1中，1為VOA，2為帶Tap分光耦合器的PD，3為1x2光開關，4為復用器，5為控制電路，6為光發射模塊，7為解復用器。圖1中使用一個Tap分光耦合器從主信道光中分出部分光送入光功率探測器模塊2，光功率探測器模塊2將所分出的部分光轉變為電信號，通過控制電路控制調節可變光衰減器模塊1來達到自動調諧、穩定光功率的作用。但是，可變光衰減器模塊1及光功率探測器模塊2的分立使得實現這兩個功能的模塊體積增大，不利于系統的集成，且增加了整體器件的不穩定性。

【實用新型內容】

基于此，有必要提供一種體積小、結構緊湊的帶光功率探測的可調光學衰減器。

一種帶光功率探測的可調光學衰減器，其特征在于：包括雙光纖準直器、擋光式的MEMS?VOA芯片和光電探測芯片，所述MEMS?VOA芯片固定在所述雙光纖準直器和光電探測芯片中間，且三者的中心位于同一軸線上，在所述MEMS?VOA芯片與所述光電探測芯片相對的MEMS?VOA芯片的面上鍍有Tap膜。

優選地，還包括用于固定所述光電探測芯片的管座。

優選地，所述光電探測芯片粘貼在所述管座上。

優選地，還包括設置在所述MEMS?VOA芯片與光電探測芯片之間的玻片，且所述玻片粘貼在所述MEMS?VOA芯片上，所述玻片的中心與MEMS?VOA芯片的中心位于同一軸線上，所述Tap膜鍍在所述玻片上。

優選地，所述Tap膜可采用CWDM膜代替，將所述CWDM膜鍍在所述玻片上。

優選地，還包括與所述光電探測芯片和MEMS?VOA芯片均相連，且控制調節MEMS?VOA芯片衰減量的控制電路。

優選地，所述Tap膜的反射率為95％～99％。

上述帶光功率探測的可調光學衰減器的雙光纖準直器、MEMS?VOA芯片、光電探測芯片依次固定且各中心在同一軸線后，并在MEMS?VOA芯片上鍍有Tap膜進行分光，實現光路信號穩定調諧，且集成為一個器件，該器件體積小、結構緊湊。這樣器件的集成度高，成本低。

【附圖說明】

圖1為一個實施例中帶光功率探測的可調光學衰減器的結構示意圖；

圖2為另一個實施例中帶光功率探測的可調光學衰減器的結構示意圖。圖3為再一個實施例中帶光功率探測的可調光學衰減器的結構示意圖。

【具體實施方式】

下面結合具體的實施例和附圖對本實用新型的技術方案進行詳細描述。

如圖2所示，在一個實施例中，一種帶光功率探測的可調光學衰減器，包括一個雙光纖準直器10、一片擋光式的微電機系統(Mirco?Electro?Mechanical-System，簡稱MEMS)可調光學衰減器(Variable?Optical?Attenuator，簡稱VOA)芯片20和一個光電探測芯片(Photodetector，簡稱PD)30。擋光式的MEMS?VOA芯片20固定在雙光纖準直器10和光電探測芯片30之間，且三者的中心位于同一軸線上。MEMS?VOA芯片20與光電探測芯片30相對的MEMS?VOA芯片20的面上鍍有Tap膜，即MEMS?VOA單面鍍有Tap膜。其中，Tap膜起到分光作用，Tap膜的反射率為95％～99％。

本實施例中，該可調光學衰減器還包括管座40。光電探測芯片30粘貼在管座40上。其中，管座40為T0管座。管座40起固定作用。