[實用新型]一種磁路結構

無效

• 申請號: 201020295449.2
• 申請日: 2010-08-18
• 公開（公告）號: CN201733433U
• 公開（公告）日: 2011-02-02
• 發明（設計）人: 徐慶山
• 申請（專利權）人: 佛山鋐利電子有限公司
• 主分類號: H04R9/02
• 分類號: H04R9/02;H04R9/04
• 代理公司: 佛山市南海智維專利代理有限公司 44225
• 代理人: 李憲賓

技術領域：

本實用新型涉及一種磁路結構。

背景技術：

現有技術的音箱用磁路結構如圖1所示，其結構是在軛鐵01內放置磁石02，在磁石02的頂部(也就是軛鐵形腔開口處)設置一中心上板03，在軛鐵01的開口處兩側設有外圍上板04，中心上板03與外圍上板04之間留有氣隙05，由軛鐵01-外圍上板04-中心上板03形成封閉的磁場路徑，但該磁路結構在開口處磁漏嚴重，導致磁能利用率較低。

發明內容：

本實用新型的目的是為了克服上述現有技術的缺點，提供一種可減少磁漏、增加磁能利用率的磁路結構。

為實現上述目的，本實用新型提供的技術方案為：一種磁路結構，包括有軛鐵、磁石、第一中心上板和外圍上板，磁石放置于軛鐵形腔內，第一中心上板設于磁石的頂部，外圍上板設于軛鐵的開口處兩側，第一中心上板與外圍上板之間形成有氣隙，于第一中心上板的頂部設有反向磁石。

在反向磁石的頂部放置有第二中心上板。

上述軛鐵開口處側壁上接近外圍上板的位置開有凹槽。

本技術方案的優點是：通過在第一中心上板的頂部增加反向磁石，該反向磁石與軛鐵形腔內的磁石之磁場呈互斥關系，用以減少上述磁路結構的磁漏及增加磁能利用率。

附圖說明：

圖1是現有技術磁路結構的示意圖；

圖2是本實用新型磁路結構的示意圖；

圖3為圖1中沿測試線(10)所得的磁漏量圖。

具體實施方式：

現結合附圖詳細闡述本實用新型：

本實施例的磁路結構包括有軛鐵1、磁石2、第一中心上板3和外圍上板4，磁石2放置于軛鐵形腔5內，第一中心上板3設于磁石2的頂部，外圍上板4設于軛鐵1的開口處兩側，第一中心上板3與外圍上板4之間形成有氣隙6，于第一中心上板3的頂部設有反向磁石7，在反向磁石7的頂部放置有第二中心上板8，第二中心上板8可起到防止反向磁石2之上方磁漏并增加本磁路結構的磁通量，上述軛鐵開口處側壁上接近外圍上板4的位置開有凹槽9，凹槽9的存在可減少磁力線旁通。

從附圖3中得出，沿圖1中的測試線(10)測量磁漏情況，可見本實用新型的磁路結構磁漏非常小。

上述參照實施例對該磁路結構進行的描述是說明性的而不是限定性的，因此在不脫離實用新型總體構思下的變化和修改，應屬于本實用新型的保護范圍之內。