[實用新型]靶材結構及其濺鍍設備

有效

• 申請號: 201020262992.2
• 申請日: 2010-07-15
• 公開（公告）號: CN201834964U
• 公開（公告）日: 2011-05-18
• 發明（設計）人: 陳維燕
• 申請（專利權）人: 華映視訊(吳江)有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 孫長龍

技術領域

本實用新型是有關于一種靶材結構(target?structure)及應用其的濺鍍設備(sputtering?apparatus)，且特別是有關于一種應用于磁控濺鍍系統(magnet?sputtering?system)的靶材結構以及濺鍍設備。

背景技術

薄膜沈積(thin?film?deposition)技術已是半導體(semiconductor)產業所廣泛應用的技術之一。薄膜沈積技術可分為物理氣相沈積(Physical?Vapor?Deposition，PVD)以及化學氣相沈積(Chemical?VaporDeposition，CVD)。其中，物理氣相沈積更以蒸鍍(evaporation)及濺鍍(sputtering)為目前的主流。濺鍍的基本原理是藉兩電極板之間加以高電壓將其間的氬氣激發成氬電漿。再利用此高能量的離子轟擊(bombardment)陰極上的靶材(target)，而使靶材分子氣體化及單粒子化后，利用擴散等方式將靶材分子沈積于基板表面，以形成均勻薄膜。由于濺鍍制程可采用金屬材料或非金屬材料做為其靶材，因此濺鍍制程已廣泛地應用于各種產業上。

磁控濺鍍機的鍍膜原理是于真空狀態下利用具有動能的粒子撞擊靶材，以將靶材(欲鍍材料)表面的物質打出，并附著在基板(被鍍物)上而形成薄膜。此外，為加速濺鍍薄膜的速度并提升濺鍍質量，一般系在磁控濺鍍機的真空濺鍍腔外對應靶材的位置配設磁鐵以達到目的。

值得注意的是，公知的靶材的外型大都為長方體或正方體。由于在磁控濺鍍系統濺鍍成膜過程中，靶材上下兩端會沉積部分的濺鍍物質而形成一回濺物堆積區。在執行多次的濺鍍動作之后，附著于上述區域的濺鍍物質將因厚度增加而剝落，使得濺鍍設備內的潔凈度下降，進而影響濺鍍制程的良率。

實用新型內容

本實用新型提供一種靶材結構，可有效減少濺鍍過程中回濺物的堆積，以增加磁場影響的區域。

本實用新型提供一種濺鍍設備，具有上述的靶材結構，可提高濺鍍制程的良率，以減少產品的良率損失。

本實用新型提供一種靶材結構，其包括一靶材主體。靶材主體具有彼此相對的一上表面與一下表面、多個連接上表面與下表面的側表面以及至少一傾斜面。傾斜面連接上表面與至少一側表面，且傾斜面與上表面夾一特定角度。

在本實用新型的一實施例中，上述的特定角度的范圍介于1度至89度之間。

在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體更具有一有效濺鍍區以及一無效濺鍍區。無效濺鍍區位于有效濺鍍區的周圍，且傾斜面位于無效濺鍍區。

在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體為一矩形靶材主體。矩形靶材主體具有一對長邊以及一對短邊，而無效濺鍍區位于這對短邊。

在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體的材質包括金屬或非金屬。

本實用新型還提供一種濺鍍設備，其包括一靶材承載機構以及一靶材結構。靶材承載機構具有一靶材容納空間以及一背板。靶材結構包括一靶材主體。靶材主體配置背板上且位于靶材容納空間中。靶材主體具有彼此相對的一上表面與一下表面、多個連接上表面與下表面的側表面以及至少一傾斜面。傾斜面連接上表面與至少一側表面，且傾斜面與上表面夾一特定角度。

在本實用新型的一實施例中，上述的特定角度的范圍介于1度至89度之間。

在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體更具有一有效濺鍍區以及一無效濺鍍區。無效濺鍍區位于有效濺鍍區的周圍，且傾斜面位于無效濺鍍區。

在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體為一矩形靶材主體。矩形靶材主體具有一對長邊以及一對短邊，而無效濺鍍區位于這對短邊。

在本實用新型的一實施例中，上述的靶材主體的材質包括金屬或非金屬。

基于上述，由于本實用新型的靶材結構具有一連接上表面以及一側表面的傾斜面，因此可增加磁場影響的區域，使回濺物不易堆積于無效濺鍍區，以提高濺鍍制程的良率。

為讓本實用新型的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。

附圖說明

圖1為本實用新型的一實施例的一種濺鍍設備的示意圖。

圖2為圖1的濺鍍設備中一靶材結構與一背板貼合的放大示意圖。

具體實施方式