[實用新型]改良的導線架結構

有效

• 申請號: 201020258431.5
• 申請日: 2010-07-14
• 公開（公告）號: CN201749847U
• 公開（公告）日: 2011-02-16
• 發明（設計）人: 張定宏
• 申請（專利權）人: 勤益股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 北京鼎佳達知識產權代理事務所(普通合伙) 11348
• 代理人: 王偉鋒;姚鐵

技術領域

本實用新型涉及一種導線架結構，特別是涉及一種可同時搭載兩個或兩個以上晶粒的改良的導線架結構。

背景技術

半導體晶片是經過繁雜的半導體制造過程所制造出，為了使半導體晶片可容易地被應用于電路之中，并可同時保護半導體晶片不受外力與濕氣的侵蝕，必須將半導體晶片進行封裝。

進行半導體晶片封裝時，須備有一基本的封裝架構以供放置半導體晶片。請參閱圖1，是一種現有的雙晶體管封裝架構的俯視圖，現有的一種雙晶體管封裝架構70’，包括：一第一導線架80’、一第二導線架86’以及多數個金屬焊板40’。如圖1所示，一第一晶粒81’是以其一第一漏極端(第一漏極端為第一晶粒的背極，因此無標示元件符號)而被設置于該第一導線架80’之上，并通過一引線91’而與該金屬焊板40’電性連接；此外，第一晶粒81’之一第一柵極端84’也通過一引線92’而與金屬焊板40’電性連接。該第二導線架86’之上則設有一第二晶粒87’，該第二晶粒87’以其一第二漏極端(第二漏極端為第二晶粒之背極，因此無標示元件符號)而被設置于第二導線架86’之上，該第二漏極端更通過二引線96’而電性連接至金屬焊板40’，并且，第二晶粒87’的一第二柵極90’是通過一引線94’而電性連接至金屬焊板40’，且第二晶粒87’的一第二源極端88’通過二組引線95’分別地電性連接至金屬焊板40’；另外，第一晶粒81’的一第一源極端82’通過一組引線93’而耦接至第二晶粒87’的第二漏極端。

上述雙晶體管封裝架構70’為現有的封裝架構，雙晶體管封裝架構70’可供設置兩個待封裝晶粒，因此，被經常地使用于半導體晶片封裝之中；然而，如圖1所示，雙晶體管封裝架構70’具有下列的缺點與不足：

1.該雙晶體管封裝架構70’之中，是通過引線分別將該第一柵極端、第一漏極端、第二柵極端與第二源極端電性連接至該金屬焊板，并通過一組引線將第一源極端與第二漏極端相互耦接；然而，使用過多的引線，將使得整體制造過程的時間拉長。

2.焊粒材料，如銀膠或焊錫，容易對晶粒周圍的焊墊造成污染，導致對焊墊進行焊線之時，焊線情況不佳。

有鑒于上述現有的雙晶體管封裝架構存在的缺陷，本設計人積極加以研究創新，終于創設出確具實用價值的本實用新型。

實用新型內容

本實用新型的主要目的在于，提出一種改良的導線架結構，可作為雙晶粒的場效晶體管的焊線架構，其僅須使用數條引線，即可將兩個場效晶體管電性連接至外部的金屬腳位，并同時將其一場效晶體管的源極電性連接至另一場效晶體管的漏極。

本實用新型的目的及解決其技術問題是采用以下技術方案來實現的。依據本實用新型提出的改良的導線架結構，包括：一第一晶粒座，用于設置一第一晶粒，其中，該第一晶粒具有一第一電極、一第二電極與一第三電極，第一晶粒以該第一電極連接該第一晶粒座；一第二晶粒座，用于設置一第二晶粒，其中，該第二晶粒具有一第四電極、一第五電極與一第六電極，第二晶粒以該第四電極連接該第二晶粒座，此外，第二晶粒座的一側延伸成為一第二電極焊線區；一第三電極焊線區，通過一第二引線將第一晶粒的第三電極電性連接至該第三電極焊線區；一第五電極焊線區，通過一第三引線將第二晶粒的第五電極電性連接至該第五電極焊線區；以及一第六電極焊線區，通過一第四引線將第二晶粒的第六電極電性連接至該第六電極焊線區；其中，通過一第一引線將第一晶粒的第二電極電性連接至該第二電極焊線區，使得第一晶粒的第二電極電性連接于第二晶粒的第四電極。

本實用新型的目的及解決其技術問題還可采用以下技術措施進一步實現。

前述的改良的導線架結構，其中所述的第一晶粒為一場效晶體管或一雙極性晶體管。

前述的改良的導線架結構，其中所述的第二晶粒為一場效晶體管或一雙極性晶體管。

前述的改良的導線架結構，其中所述的第一晶粒座還包括至少一第一延伸區，該第一延伸區形成于第一晶粒座的一側邊。

前述的改良的導線架結構，其中所述的第二晶粒座還包括一第三延伸區，該第三延伸區121形成于第二晶粒座的一側邊。

借由上述技術方案，本實用新型改良的導線架結構至少具有下列優點：

1、本實用新型可作為雙晶粒的場效晶體管或雙極性晶體管的焊線架構，且，僅須使用數條引線，即可將兩個場效晶體管或兩個雙極性晶體管電性連接至外部的金屬腳位。