[實(shí)用新型]卷繞式帶狀I(lǐng)TO導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201020257918.1
• 申請(qǐng)日: 2010-07-13
• 公開（公告）號(hào): CN201778108U
• 公開（公告）日: 2011-03-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 傅青炫;陳先鋒;馬爾松;夏慎領(lǐng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 淮安富揚(yáng)電子材料有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/56
• 分類號(hào): C23C14/56;C23C14/08;C23C14/34
• 代理公司: 淮安市科翔專利商標(biāo)事務(wù)所 32110
• 代理人: 韓曉斌

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域，涉及導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)方法及裝置，特別是涉及一種卷繞式帶狀I(lǐng)TO導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)裝置。

背景技術(shù)

眾所周知，電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)是向著薄輕、占用空間小、攜帶方便等方向發(fā)展，透明導(dǎo)電薄膜在平板顯示器、太陽(yáng)能電池、大面積透明電磁屏蔽、大面積觸摸屏等領(lǐng)域的市場(chǎng)需求越來越大。

現(xiàn)在市場(chǎng)上生產(chǎn)的導(dǎo)電薄膜，局限于片式生產(chǎn)，片式的產(chǎn)品不能滿足大規(guī)格產(chǎn)品的要求，而且生產(chǎn)工序多，產(chǎn)品性能的一致性差。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于：提供一種卷繞式帶狀I(lǐng)TO導(dǎo)電薄膜的生產(chǎn)裝置，該方法及裝置在基材上濺射鍍層，連續(xù)化生產(chǎn)，增大產(chǎn)品幅寬和長(zhǎng)度，擴(kuò)大產(chǎn)品用途。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是：在由隔板間隔的放料室和濺射室內(nèi)安裝生產(chǎn)裝置，生產(chǎn)裝置包括輸送架、紅外加熱器、離子源、深冷捕集器、二氧化硅發(fā)放器、氧化銦錫發(fā)放器和濺射靶，在放料室和濺射室內(nèi)排布連貫的輸送架，輸送架的首尾端都位于放料室，在輸送架的首端安裝放料輥，在輸送架的尾端安裝收料輥，在放料室內(nèi)位于輸送架的兩側(cè)呈平面矩形安裝離子源，在離子源之前安裝紅外加熱器，在濺射室內(nèi)位于輸送架的兩側(cè)呈平面矩形安裝一組濺射靶，濺射室內(nèi)位于濺射靶的前方和中間分別安裝二氧化硅發(fā)放器、氧化銦錫發(fā)放器，放料室、濺射室內(nèi)各放置一個(gè)深冷捕集器和真空泵。

其中，在輸送架的接近首尾端上分別安裝漲力器。

工作時(shí)，基材由放料輥放出，被輸送架輸送經(jīng)過放料室的紅外加熱器和離子源，再交錯(cuò)經(jīng)過濺射室的二氧化硅發(fā)放器、濺射靶、氧化銦錫發(fā)放器、濺射靶，最后由放料室的收料輥將導(dǎo)電薄膜收集起來；其中，基材在經(jīng)過紅外加熱器、離子源時(shí)，基材被清潔表面、消除水汽、克服張力；其中，預(yù)處理后的基材在濺射室內(nèi)經(jīng)濺射靶先直接濺射上氧化二硅膜，再在二氧化硅膜的基礎(chǔ)上濺射氧化銦錫膜，形成ITO導(dǎo)電薄膜。

本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)：1、ITO導(dǎo)電薄膜寬幅大，最大滿足1800mm，長(zhǎng)度長(zhǎng)，可以滿足近1000m；2、從基材進(jìn)入工作室到產(chǎn)品，在同一真空條件下完成，連續(xù)化生產(chǎn)，產(chǎn)品性能一致性好；3、紅外加熱器、離子源處理基材，清潔表面、消除水汽、增大張力，增加基材與濺射層的結(jié)合力；4、濺射二氧化硅膜作為過渡層，提高ITO導(dǎo)電薄膜質(zhì)量；在真室的放料室和濺射室放置深冷捕集器，捕集吸附水分子、油分子，潔凈濺射環(huán)境。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的生產(chǎn)裝置流程示意圖

圖中：1隔板，2放料室，3濺射室，4輸送架，5離子源，6、7深冷捕集器，8二氧化硅發(fā)放器，9濺射靶，10放料輥，11收料輥，12氧化銦錫發(fā)放器，13、14真空泵，15、16漲力器，17紅外加熱器。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，在由隔板1間隔的放料室2和濺射室3內(nèi)安裝生產(chǎn)裝置，生產(chǎn)裝置包括輸送架4、紅外加熱器17、離子源5、深冷捕集器6、7、二氧化硅發(fā)放器8、氧化銦錫發(fā)放器12和濺射靶9，在放料室2和濺射室3內(nèi)排布連貫的輸送架4，輸送架4的首尾端都位于放料室2，在輸送架4的首端安裝放料輥10，在輸送架4的尾端安裝收料輥11，在放料室2內(nèi)位于輸送架4的兩側(cè)呈平面矩形安裝離子源5，在離子源5之前安裝紅外加熱器17，在濺射室3內(nèi)位于輸送架4的兩側(cè)呈平面矩形安裝一組濺射靶9，濺射室3內(nèi)位于濺射靶9的前方和中間分別安裝二氧化硅發(fā)放器8、氧化銦錫發(fā)放器12，放料室2、濺射室3內(nèi)各放置一個(gè)深冷捕集器6、7和真空泵13、14。

其中，在輸送架4的接近首尾端上分別安裝漲力器15、16。