[實(shí)用新型]一種提高磁通密度的裝置無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020250488.0 | 申請(qǐng)日： | 2010-07-07 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN201751961U | 公開（公告）日： | 2011-02-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張超翰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 翰怡堂有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01F7/02 | 分類號(hào)： | H01F7/02;B65D85/00 |
| 代理公司： | 深圳市深遠(yuǎn)專利商標(biāo)事務(wù)所 44276 | 代理人： | 褚治保 |
| 地址： | 中國香港新界*** | 國省代碼： | 中國香港;81 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提高 密度 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種提高磁通密度的裝置，其特征在于：包括一個(gè)長方體小容器(1)，以及一個(gè)與所述小容器(1)配合的外殼(2)，所述小容器(1)插裝在外殼(2)內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高磁通密度的裝置，其特征還在于：所述小容器(1)形狀優(yōu)選為一個(gè)立方體形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高磁通密度的裝置，其特征還在于：所述外殼(2)形狀優(yōu)選為一個(gè)立方體形狀。
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