[實用新型]一種TO220封裝MOSFET多管并聯模塊無效
| 申請號： | 201020246979.8 | 申請日： | 2010-07-02 |
| 公開（公告）號： | CN201805393U | 公開（公告）日： | 2011-04-20 |
| 發明（設計）人： | 李桃峰 | 申請（專利權）人： | 西安新大良電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H02P6/00 | 分類號： | H02P6/00;H05K7/20 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 710065 陜西省西安市高新區*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 to220 封裝 mosfet 并聯 模塊 | ||
【權利要求書】：
1.一種TO220封裝MOSFET多管并聯模塊，它由是鍍錫銅板(4)、上管散熱鋁板(5)、下管散熱鋁板(6)、線路板(7)、MOSFET(8)、電源負連接鋁板(9)組成，其特征是將MOSFET垂直焊接在線路板(7)的兩邊，上管的漏極靠近下管的源極；各組上管MOSFET的散熱鍍錫銅板(4)通過螺絲固定在一塊上管散熱鋁板(5)上；上管的管腳(3)與下管的管腳(2)通過電子線路板(7)焊接在一起；各組下管的散熱鍍錫銅板(4)通過螺絲固定在獨立的下管散熱鋁板(6)上；下管的管腳(3)焊接在電子線路板(7)上；在線路板(7)的管腳(3)焊點連線上上留5-15毫米寬度的敷銅鉑，5-15毫米寬的電源負連接鋁板(9)通過螺絲固定在敷銅鉑的表面。
2.如權利要求1所述的一種TO220封裝MOSFET多管并聯模塊，其中每組上管MOSFET或下管MOSFET所并聯的MOSFET的個數為正整數。?
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