[實用新型]一種用于測量套準精度的測量結構有效
| 申請號: | 201020246561.7 | 申請日: | 2010-06-30 |
| 公開(公告)號: | CN201740972U | 公開(公告)日: | 2011-02-09 |
| 發明(設計)人: | 朱駿 | 申請(專利權)人: | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號: | G03F9/00 | 分類號: | G03F9/00 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 鄭瑋 |
| 地址: | 201210*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 測量 精度 結構 | ||
1.一種用于測量套準精度的測量結構,為中心軸對稱圖形,其特征在于,包括前層被對準結構和當前層對準結構兩部分,所述前層被對準結構相對所述當前層對準結構在X軸方向和Y軸方向上有偏移量。
2.如權利要求1所述的測量結構,其特征在于,所述前層被對準結構包括至少一條矩形圖形條。
3.如權利要求1所述的測量結構,其特征在于,所述當前層對準結構由光刻膠構成,所述當前層對準結構包括至少一條矩形圖形條。
4.如權利要求1所述測量結構,其特征在于,所述測量結構為正方形,分為橫向區域和縱向區域。
5.如權利要求4所述的測量結構,其特征在于,所述測量結構等分為四個區域,其中至少一個區域為橫向區域,至少一個為縱向區域。
6.如權利要求4或5所述的測量結構,其特征在于,在所述橫向區域內,所述前層被對準結構和所述當前層對準結構均與X軸平行,所述前層被對準結構相對于所述當前層對準結構有所述Y軸方向偏移量。
7.如權利要求6所述的測量結構,其特征在于,所述Y軸方向偏移量為-10000微米至+10000微米。
8.如權利要求4或5所述的測量結構,其特征在于,在所述縱向區域內,所述前層被對準結構和所述當前層對準結構均與Y軸平行,所述前層被對準結構相對于所述當前層對準結構有所述X軸方向偏移量。
9.如權利要求8所述的測量結構,其特征在于,所述X軸方向偏移量為-10000微米至+10000微米。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海集成電路研發中心有限公司,未經上海集成電路研發中心有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201020246561.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





