[實用新型]外延片生產用罩

有效

• 申請號: 201020246547.7
• 申請日: 2010-07-01
• 公開（公告）號: CN201753371U
• 公開（公告）日: 2011-03-02
• 發明（設計）人: 樓琦江
• 申請（專利權）人: 上海晶盟硅材料有限公司
• 主分類號: C30B25/08
• 分類號: C30B25/08;C30B29/06
• 代理公司: 上海脫穎律師事務所 31259
• 代理人: 李強

技術領域

本實用新型涉及一種外延片生產用罩。

背景技術

外延片的生產方法，是在襯底上生長單晶硅薄膜。化學氣相法生產外延片時，使氣態的硅單晶沉積在襯底表面。單晶硅的沉積是在石英罩內進行。如圖1所示為一種石英罩的結構示意圖，其包括長方體的罩體1，包括上罩板11。罩體1設置有進口12和出口(圖中未示出)。如圖2所示為上罩板的正視圖及其缺點分析圖。由于罩體1的各罩板均與上罩板11相同，其側面13為垂直于氣體流向的直面，圖中向右的箭頭表示氣體入射流向。因此，在氣體吹至上罩板11的側面13時，受側面13的阻擋，入射氣流發生變向，一部分向上，一部分向下，一部分回彈至與入射方向相反。無論朝哪個方向變向，均對生產帶來不利影響。向上反射的部分，無法進入罩體內，造成浪費；向下及回彈的部分，會擾亂其它氣體的流向，造成氣體分布的不均勻，降低了外延片的生產質量。

實用新型內容

本實用新型的目的是為了克服現有技術中的不足，提供一種可減小浪費的外延片生產用罩。

為實現以上目的，本實用新型通過以下技術方案實現：

外延片生產用罩，包括罩體，罩體設置有反應腔，所述罩體設置有進口，進口與反應腔相通，其特征在于，所述罩體包括罩板，至少一塊罩板在進口處設置有斜面。

優選地是，所述的斜面自罩板端部向罩體內部延伸。

優選地是，所述罩體包括上罩板和下罩板，所述上罩板和下罩板在罩體進口處均設置有斜面。

優選地是，所述上罩板的斜面自上罩板端部向罩體內部延伸，斜面的延長面與下罩板相交；所述下罩板的斜面自下罩板端部向罩體內部延伸，斜面的延長面與上罩板相交。

優選地是，所述的罩體由上罩板、左罩板、下罩板和右罩板依次連接而成。

優選地是，所述罩體設置有出口。

本實用新型中的外延片生產用罩，可對射向罩體的氣流導向，既能避免浪費，又可以確保進入罩體的氣體均勻，可確保襯底表面沉積的單晶薄膜均勻，提高外延片的生產質量。

附圖說明

圖1為現有技術中的外延片生產用罩結構示意圖；

圖2為現有技術中的外延片生產用罩的缺點分析圖；

圖3為本實用新型中的外延片生產用罩結構示意圖；

圖4為圖3的A-A剖視圖；

圖5為本實用新型的工作原理分析圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型進行詳細的描述：

如圖3、圖4所示，外延片生產用罩，包括罩體2，所述的罩體2由上罩板21、左罩板22、下罩板23和右罩板24依次連接而成為長方體形狀。罩體2設置反應腔(圖中未示出)和有進口25，進口25與反應腔相通。

上罩板21在罩體進口25處設置有斜面211。上罩板21的斜面211自上罩板端部向罩體2內部延伸，斜面211的延長面與下罩板23相交。

下罩板23在罩體進口25處設置有斜面231。所述下罩板23的斜面231自下罩板端部向罩體2內部延伸，斜面231的延長面與上罩板21相交。

罩體2設置有出口(圖中未示出)。

使用時，襯底放置在反應腔內，氣態的單晶硅自罩體2的進口25進入反應腔內。如圖5所示，圖中的箭頭表示氣流方向。氣體射向罩體2時，上罩板21的斜面211和下罩板23的斜面231均可對入射氣流導向，使其流向罩體的反應腔內，而不會向其它方向反射造成浪費。變向的入射氣流也不會阻擋入射氣流，不會擾亂入射氣流的分布，因此可確保沉積在襯底的單晶薄膜厚度均勻。

本實用新型中的實施例僅用于對本實用新型進行說明，并不構成對權利要求范圍的限制，本領域內技術人員可以想到的其他實質上等同的替代，均在本實用新型保護范圍內。