[實用新型]抗干擾性能強的單向可控硅結構

有效

• 申請號: 201020240907.2
• 申請日: 2010-06-28
• 公開（公告）號: CN201708156U
• 公開（公告）日: 2011-01-12
• 發明（設計）人: 耿開遠;周健;朱法揚
• 申請（專利權）人: 啟東吉萊電子有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L23/552
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 盧海洋

技術領域

本實用新型涉及一種抗干擾性能強的單向可控硅結構。

背景技術

常規可控硅，為提高可控硅的通態壓降，硅片背面均要有一層濃度較濃的硼層，以便與背面金屬形成良好的歐姆接觸，接觸壓降較小。而為了提高可控硅的抗干擾性能，必須要求背面濃度較淡。矛盾的雙方造成目前市場上抗干擾性能較強的可控硅極少。因此應該提供新的技術方案解決上述問題。

實用新型內容

本實用新型的目的是：提供一種與可控硅背面金屬接觸壓降小且抗干擾性能強的單向可控硅結構。

為實現上述目的，本實用新型采用的技術方案是：抗干擾性能強的單向可控硅結構，包括臺面槽、穿通環、陰極區和長基區，所述穿通環設于長基區的左右兩側，所述該單向可控硅的背面設有硅鋁合金層，所述硅鋁合金層的外側依次設有鋁層、鈦層、鎳層和銀層。

本實用新型在單向可控硅的背面設有硅鋁合金層，利用了硅鋁在一定溫度下具有互熔的特性，使得硅鋁接觸電阻極小，在硅鋁合金層的外側依次設有鋁層、鈦層、鎳層和銀層，形成常規的背面金屬層，使得可控硅在較低的通態壓降下，仍然保持良好的抗干擾性能。

附圖說明

下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細敘述。

圖1為本實用新型的結構示意圖。

其中：1、臺面槽，2、穿通環，3、陰極區，4、長基區，5、硅鋁合金層，6、鋁層，7、鈦層，8、鎳層，9、銀層。

具體實施方式

如圖1所示，本實用新型抗干擾性能強的單向可控硅結構，包括臺面槽1、穿通環2、陰極區3和長基區4，穿通環2設于長基區4的左右兩側，該單向可控硅的背面設有硅鋁合金層5，硅鋁合金層5的外側設有鋁層6，鋁層6的外側設有鈦層7，鈦層7的外側依次設有鎳層8和銀層9。本實用新型在單向可控硅的背面設有硅鋁合金層5，利用了硅鋁在一定溫度下具有互熔的特性，使得硅鋁接觸電阻極小，在硅鋁合金層5的外側依次設有鋁層6、鈦層7、鎳層8和銀層9，形成常規的背面金屬層，使得可控硅在較低的通態壓降下，仍然保持良好的抗干擾性能。