[實用新型]一種提高開關(guān)速度的單向可控硅結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020240844.0
• 申請日: 2010-06-28
• 公開（公告）號: CN201804872U
• 公開（公告）日: 2011-04-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 耿開遠;周健;朱法揚
• 申請（專利權(quán)）人: 啟東吉萊電子有限公司
• 主分類號: H01L29/74
• 分類號: H01L29/74;H01L29/06
• 代理公司: 南京眾聯(lián)專利代理有限公司 32206
• 代理人: 盧海洋

1.一種提高開關(guān)速度的單向可控硅結(jié)構(gòu)，包括可控硅片，其特征是所述可控硅片正面生成有氧化層，背面涂有硼源層，所述氧化層與硼源層之間有兩個體積相同的一次穿通擴散區(qū)、二次穿通擴散區(qū)和長基區(qū)，所述二次穿通擴散區(qū)設(shè)于長基區(qū)的下側(cè)，所述兩個一次穿通擴散區(qū)設(shè)于二次穿通擴散區(qū)和長基區(qū)的左右兩側(cè)。