[實用新型]一種具有顯示屏且高安全性的U盤

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020235913.9
• 申請日: 2010-06-22
• 公開（公告）號: CN201741404U
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發(fā)明（設計）人: 黃飚;趙文靜;郭海成;凌代年;邱成峰;彭俊華;黃宇華
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號: G11C7/10
• 分類號: G11C7/10;H01L31/04;G09F9/30
• 代理公司: 北京泛華偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11280
• 代理人: 王勇

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種U盤，尤其涉及一種具有顯示屏且高安全性的U盤。

背景技術(shù)

隨著電腦等電子產(chǎn)品的普及，U盤作為一種數(shù)據(jù)儲存及傳輸?shù)墓ぞ撸粡V泛使用。在現(xiàn)有技術(shù)中，U盤一般是通過插接于電腦上或其它電子產(chǎn)品上，以獲得電源來使用，比如通過在電腦上的操作進行數(shù)據(jù)傳輸及存儲，通過電腦顯示其存儲的文件信息等。顯然，U盤必須結(jié)合其它設備使用，這就給使用者在使用上帶來一定的局限性，尤其當U盤持有者在身邊不具有電腦卻很想獲得U盤內(nèi)信息內(nèi)容的時候。與此同時，信息的安全保密成為人們的需要，尤其對于保密要求特高的信息存儲，如何使得所述U盤內(nèi)存儲的信息只有通過擁有權(quán)限者才能顯示，而對于非權(quán)限者則不泄露，成為一個需要解決的問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種安全性高的且能夠顯示其中所存儲的信息的U盤。

本實用新型的上述目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

根據(jù)本實用新型，提供一種U盤，包括微處理器和數(shù)據(jù)存儲模塊，其中，還包括顯示屏、顯示模塊以及電源，

所述顯示模塊的一端與所述微處理器相連接，用于接收來自所述微處理器的數(shù)據(jù)并將其發(fā)送給顯示屏；

所述顯示屏與所述顯示模塊相連接，用于接收所述顯示模塊所發(fā)送的數(shù)據(jù)，并將其顯示出來；

所述電源與所述微處理器、數(shù)據(jù)存儲模塊以及所述顯示模塊的另一端相連接，用于向所述顯示模塊、微處理器以及所述數(shù)據(jù)存儲模塊供電；

所述微處理器包括數(shù)據(jù)控制系統(tǒng)，其與所述數(shù)據(jù)存儲模塊相連，用于鎖定或刪除所述數(shù)據(jù)存儲模塊中的數(shù)據(jù)。

在所述U盤中，所述顯示屏包括有機發(fā)光二極管顯示屏或液晶顯示屏。

在所述U盤中，所述有機發(fā)光二極管顯示屏采用低溫多晶硅薄膜作為基板。

在所述U盤中，所述低溫多晶硅薄膜從下而上包括襯底、第一阻擋層、金屬誘導層、第二阻擋層和多晶硅層。

在所述U盤中，所述低溫多晶硅薄膜從下而上包括襯底、具有凹槽結(jié)構(gòu)的第一阻擋層、金屬誘導層、第二阻擋層和多晶硅層。

在所述U盤中，所述低溫多晶硅薄膜自下而上地包括：襯底、阻擋層和具有連續(xù)晶疇的多晶硅層。

在所述U盤中，所述電源包括太陽能電池。所述太陽能電池優(yōu)選為薄膜太陽能電池。所述薄膜太陽能電池包括非晶硅薄膜太陽能電池或多晶硅薄膜太陽能電池。

在所述U盤中，所述薄膜太陽能電池與所述低溫多晶硅薄膜制作于同一襯底的上下表面上。

在上述技術(shù)方案中，所述U盤還包括操作模塊及輸入裝置，所述操作模塊的一端與輸入裝置相連接，用于接收所述輸入裝置的輸入信息，所述操作模塊的另一端與所述微處理器相連接，用于向微處理器發(fā)送所接收的輸入信息。

在上述技術(shù)方案中，所述U盤還包括感觸模塊及觸摸屏，所述感觸模塊的一端與所述觸摸屏相連接，用于感知觸摸屏的輸入信息，其另一端與所述微處理器相連接，用于將感知到的信息傳送給所述微處理器。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的U盤具有以下優(yōu)點：

1、在脫機狀態(tài)下能夠顯示U盤中的文件并進行簡單操作，使用更加方便；

2、使用太陽能電池供電避免對環(huán)境造成污染，節(jié)約能源；

3、安全性更高。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步的說明，其中：

圖1為本實用新型實施例的U盤的正面立體示意圖；

圖2為圖1所示U盤的背面立體示意圖；

圖3為本實用新型實施例的U盤的內(nèi)部電路框圖；

圖4為具有觸摸屏的顯示屏部分的電路框圖；

圖5a為根據(jù)本實用新型一實施例的U盤的低溫多晶硅薄膜制造過程中，于襯底上形成第一阻擋層后的多層膜的橫截面示意圖；

圖5b根據(jù)本實用新型一實施例的U盤的低溫多晶硅薄膜制造過程中，在襯底上形成第一阻擋層、金屬誘導層、第二阻擋層、非晶硅層及金屬吸收層之后的多層膜的橫截面示意圖；

圖5c為圖5a的多層膜的局部放大圖；

圖5d為圖5b所示的多層膜在加熱晶化期間的橫截面示意圖；

圖5e為根據(jù)本實用新型一實施例的U盤的低溫多晶硅薄膜在加熱晶化后并將金屬吸附層去除后的多晶硅薄膜的橫截面示意圖；

圖6為根據(jù)本實用新型另一實施例的U盤的低溫多晶硅薄膜制備方法的流程圖；

圖7a為根據(jù)本實用新型另一實施例的U盤的低溫多晶硅薄膜在第一次退火過程后的晶體薄膜表面沉積金屬吸收層后的截面圖。

具體實施方式