[實用新型]一晶粒及包含該晶粒的功率轉換集成電路

有效

• 申請號: 201020230579.8
• 申請日: 2010-06-21
• 公開（公告）號: CN201788975U
• 公開（公告）日: 2011-04-06
• 發明（設計）人: 詹姆斯·H·阮
• 申請（專利權）人: 成都芯源系統有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L23/485;H01L23/495
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 詹永斌;徐宏

1.一晶粒，有一晶粒拐角，所述晶粒包括：

一高端功率MOSFET，所述高端功率MOSFET具有一漏極和一源極；以及

第一焊盤和第二焊盤，所述第一焊盤和第二焊盤耦接至所述高端功率MOSFET的漏極，所述第一焊盤相對于晶粒拐角的的坐標為（158.3?μm?±?d，2945.8?μm?±?d），所述第二焊盤相對于晶粒拐角的的坐標為（398.8?μm?±?d，2959.4?μm?±?d），其中d小于或等于320?μm。

2.如權利要求1所述晶粒，其特征在于，還包括：

一低端功率MOSFET，所述低端功率MOSFET具有一漏極和一源極；以及

第三焊盤、第四焊盤、第五焊盤和第六焊盤，所述第三至第六焊盤耦接至高端功率MOSFET的源極和低端功率MOSFET的漏極，所述第三至第六焊盤相對于晶粒拐角的坐標分別為（599.2?μm?±?d，2810.2?μm?±?d）、（599.2?μm?±?d，2465.1?μm?±?d）、（599.2?μm?±?d，2133.8?μm?±?d）和（599.2?μm?±?d，1791.5?μm?±?d）。

3.如權利要求2所述晶粒，其特征在于，還包括：

第七焊盤、第八焊盤、第九焊盤和第十焊盤，所述第七至第十焊盤耦接至所述高端功率MOSFET的源極和所述低端功率MOSFET的漏極，所述第七至第十焊盤對于晶粒拐角的坐標分別為（379.5?μm?±?d，1716.2?μm?±?d）、（179.8?μm±?d，1716.2?μm?±?d）、（417.2?μm±?d，1439.3?μm?±?d）和（417.2?μm±?d?，1083.2?μm?±?d）。

4.如權利要求3所述晶粒，其特征在于，還包括：?

第十四焊盤、第十五焊盤、第十六焊盤、第十七焊盤、第十八焊盤和第十九焊盤，所述第十四至第十九焊盤耦接至所述低端功率MOSFET的源極，所述第十四至第十九焊盤相對于晶粒拐角的坐標分別為（1466.3?μm?±?d，2815.1?μm?±?d）、（1466.3?μm?±?d，2469?μm?±?d）、（1466.3?μm±?d，2121.9?μm?±?d）、（1466.3?μm?±?d，1774.8?μm?±?d）、（1466.4?μm?±?d，1427.7?μm?±?d）和（1466.4?μm?±?d，1080.6?μm?±?d）。

5.如權利要求4所述晶粒，其特征在于，所述高端功率MOSFET具有第一拐角、第二拐角、第三拐角和第四拐角，所述第一至第四拐角相對于晶粒拐角的坐標分別為（33.0?μm?±?d，2894.3?μm?±?d）、（525.3?μm?±?d，2894.3?μm?±?d）、（525.3?μm?±?d，1767.1?μm?±?d）和（33.0?μm?±?d，1767.1?μm?±?d）。

6.如權利要求5所述晶粒，其特征在于，所述低端功率MOSFET具有第一拐角、第二拐角、第三拐角、第四拐角、第五拐角和第六拐角，所述第一至第六拐角相對于晶粒拐角的坐標分別為（661.6?μm?±?d，3040.9?μm?±?d）、（1407.9?μm?±?d，3040.9?μm?±?d）、（1407.9?μm?±?d，976.3?μm?±?d）、（479.5?μm?±?d，976.3?μm?±?d）、（479.5?μm?±?d，1545.3?μm?±?d）和（661.6?μm?±?d，1545.3?μm?±?d）。

7.如權利要求6所述晶粒，其特征在于，所述低端功率MOSFET包括第一區域MOSFET、第二區域MOSFET和第三區域MOSFET。