[實用新型]一種厚膜SOI結構

無效

• 申請號: 201020221058.6
• 申請日: 2010-06-08
• 公開（公告）號: CN201673910U
• 公開（公告）日: 2010-12-15
• 發明（設計）人: 張海鵬;齊瑞生;洪玲偉
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 杜軍

1.一種厚膜SOI結構，依次包括半導體襯底、薄隱埋氧化層、P型硅隱埋層和N型頂層硅膜；薄隱埋氧化層將半導體襯底與P型硅隱埋層完全隔離，P型硅隱埋層的上表面被N型頂層硅膜完全覆蓋，其特征在于：

所述半導體襯底的材料為硅，厚度為100～300μm，摻雜雜質元素為硼、摻雜濃度為10¹³～10¹⁵cm^-3；

所述的N型頂層硅膜的厚度為2～70μm，摻雜雜質元素為磷、摻雜濃度為5×10¹⁴～2×10¹⁶cm^-3；

所述的薄隱埋氧化層的厚度為50～300nm，材料為二氧化硅；

所述的P型硅隱埋層的材料為硅，厚度為22～145μm，摻雜雜質元素包括鋁、鎵、硼，鋁摻雜濃度為10¹⁴～2×10¹⁶cm^-3、鎵摻雜濃度為10¹⁶～10¹⁸cm^-3、硼摻雜濃度為10¹⁹～10²¹cm^-3。