[實用新型]半導體器件清洗裝置

有效

• 申請號: 201020209458.5
• 申請日: 2010-05-28
• 公開（公告）號: CN201735545U
• 公開（公告）日: 2011-02-09
• 發明（設計）人: 張晨騁
• 申請（專利權）人: 上海集成電路研發中心有限公司
• 主分類號: B08B3/04
• 分類號: B08B3/04;B08B3/12
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本實用新型涉及集成電路工藝技術領域，具體涉及可以增強顆粒去除能力的半導體器件清洗裝置。

背景技術

伴隨集成電路制造工藝的不斷進步，半導體器件的體積正變得越來越小，這也導致了非常微小的顆粒也變得足以影響半導體器件的制造和性能。同時，由于器件的尺寸持續縮小，因此，原來最常用于去除硅片表面顆粒的方法之一～-刻蝕襯底，將無法繼續使用下去了。所以，面對這種情況，越來越多的通過物理作用去除表面顆粒的技術被應用于硅片清洗。通過超聲波來去除硅片表面顆粒就是目前應用最廣泛的技術之一。

然而現有的超聲波清洗裝置和清洗方法中，超聲波清洗半導體器件的效果還不是很理想，尤其是需要在短時間內清洗大量半導體器件的情況下，經常會發生清洗不完全的情況。

有鑒于此，需要提供一種裝置或方法，以提升超聲波清洗的效率和效果。

實用新型內容

為了解決現有半導體器件清洗裝置清洗效率低、效果差的技術問題，本發提供半導體器件清洗裝置。

為了達到上述目的，本實用新型的半導體器件清洗裝置，包括第一水槽和第二水槽，所述第一水槽上設有排氣管和進水口，所述排氣管上設有第一閥門，所述第一水槽和所述第二水槽之間設有第一連接管，所述第一連接管上設有第二閥門，所述第二水槽上設有進氣管，所述第二水槽上還設有與工藝腔連接的第二連接管，所述第二連接管上設有第三閥門；其中，所述第一水槽還連接送氣單元，用于向所述第一水槽輸送氣體，且在所述第一水槽內還設有冷卻單元。

可選的，在所述的半導體器件清洗裝置中，所述送氣單元位于所述第一水槽外，包括：主送氣管、分氣盤以及分送氣管，所述主送氣管與所述分送氣管通過所述分氣盤連接，所述分送氣管連接所述第一水槽。

可選的，在所述的半導體器件清洗裝置中，所述送氣單元包括主送氣管和分氣管，所述分氣管位于所述第一水槽內，所述主氣管穿過所述第一水槽壁與所述分氣管的一端連接，所述分氣管的另一端封閉。

可選的，在所述的半導體器件清洗裝置中，所述分氣管呈螺旋狀，所述分氣管上均勻分布多個氣孔。

可選的，在所述的半導體器件清洗裝置中，所述冷卻單元為彎曲的冷卻管，所述冷卻管的兩端穿過所述第一水槽壁與冷卻設備連接。

可選的，在所述的半導體器件清洗裝置中，所述彎曲的冷卻管在所述第一水槽內盤旋數圈。

可選的，在所述的半導體器件清洗裝置中，所述主送氣管的內徑大于所述分送氣管的內徑。

可選的，在所述的半導體器件清洗裝置中，所述主送氣管的內徑為1至2英寸，所述分送氣管的內徑為1/16至1/4英寸。

可選的，在所述的半導體器件清洗裝置中，所述第一水槽的容積為10-100升。

可選的，在所述的半導體器件清洗裝置中，所述工藝腔為浸沒式清洗槽或單片式沖洗工藝腔。

可選的，在所述的半導體器件清洗裝置中，所述送氣單元位于所述第一水槽的底部。

與現有的清洗裝置相比，本實用新型的半導體器件清洗裝置，由于在第一水槽上設有送氣單元和冷卻單元，所述送氣單元可以向注有純水的第一水槽內通入氣體，所述冷卻單元使所述第一水槽內的純水冷卻從而增加氣體在純水中的溶解度，所述送氣單元和所述冷卻單元配合可以增加純水中的氣體含量，從而使氣體含量較高的純水與超聲波發生裝置配合，能夠達到更好的清洗半導體器件的效果。

附圖說明

圖1為本實用新型半導體器件清洗裝置的一個實施例的結構示意圖。

圖2為本實用新型半導體器件清洗裝置的另一個實施例的結構示意圖。

圖3為本實用新型分氣管的一個實施例的結構示意圖。

具體實施方式

為了使本實用新型的保護范圍更加清楚易懂，下面結合本實用新型的較佳實施例對本實用新型的技術方案進行描述。

根據研究結果表明，超聲波清洗的效果在很大程度上是取決于所使用的純水中的氣體含量。氣體含量越高，超聲波鼓泡的效率也越高。有實驗數據表明，在相同的超聲波頻率和能量的氣體下，增加水中的氧氣含量，顆粒去除效果將會明顯改善。

純水中的氣體含量取決于該種氣體在水中的溶解度、環境溫度、該氣體壓力以及水和氣體是否能充分接觸。在20度的空氣中，氧氣的溶解度為0.006，但當處于純氧氣環境中，相同壓力和溫度下溶解度就大大增加到了0.031。如果可以降低溫度，氣體在水中的溶解度將會進一步降低，在0度左右時，氧氣在純水中的溶解度要比20度時增加約60％。