[實用新型]半導體器件的終端結構有效
| 申請號： | 201020196136.1 | 申請日： | 2010-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN201829503U | 公開（公告）日： | 2011-05-11 |
| 發明（設計）人： | 羅梅村 | 申請（專利權）人： | 深圳市鵬微科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 黃韌敏 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 終端 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件的終端結構，所述半導體器件包括P-N結的主結區、終端結構以及劃片道，所述終端結構位于主結區與劃片道之間，其特征在于，所述終端結構包括多個摻雜環以及截止環，所述多個摻雜環與所述主結區以及所述截止環相鄰設置，所述截止環與所述劃片道相鄰設置。
2.根據權利要求1所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，所述多個摻雜環之間間隔設置。
3.根據權利要求1所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，所述多個摻雜環與所述主結區之間間隔設置。
4.根據權利要求1所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，所述多個摻雜環與所述截止環之間間隔設置。
5.根據權利要求1所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，所述截止環與所述劃片道之間間隔設置。
6.根據權利要求1所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，所述摻雜環具有8個。
7.根據權利要求1～6任一項所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，所述半導體器件為平面型高壓半導體器件。?
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