[實用新型]柱狀電極靶材裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020194925.1 | 申請日: | 2010-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN201737999U | 公開(公告)日: | 2011-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 楊宏河;林偉德;張元銘;廖泯諺;孫湘平 | 申請(專利權(quán))人: | 富臨科技工程股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 柱狀 電極 裝置 | ||
1.一種柱狀電極靶材裝置,其特征在于,包括:
一中空柱狀電極殼體,具有一內(nèi)腔體;
至少一靶材,圍繞該中空柱狀電極殼體的外側(cè)而配置;
一托座,其中,該中空柱狀電極殼體組設(shè)于該托座上;
一第一管,部份配置于該內(nèi)腔體中,且該第一管與該內(nèi)腔體連通;
一第二管,連通至該內(nèi)腔體;
多個磁石支撐件,容置于該內(nèi)腔體中,并圍繞該第一管而配置;以及
多個磁石陣列,與該磁石支撐件連接;
其中,該每一磁石支撐件配置有一組該磁石陣列。
2.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極靶材裝置,其特征在于,其中,垂直該第一管的軸向的一平面配置有二個以上的磁石支撐件。
3.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極靶材裝置,其特征在于,其中,該磁石陣列是一M×N的陣列,M及N皆為整數(shù),且M≥1以及N>1。
4.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極靶材裝置,其特征在于,其中,該每一磁石支撐件與該第一管之間配置有一旋轉(zhuǎn)單元。
5.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極靶材裝置,其特征在于,其中還包括一固定單元、以及一支撐單元,該支撐單元配置于該托座與該中空柱狀電極殼體之間,該固定單元配置于該中空柱狀電極殼體外,其中,該支撐單元包括有一支撐塊以及一支撐彈簧。
6.如權(quán)利要求5所述的柱狀電極靶材裝置,其特征在于,其中,該固定單元包括有一固定座以及至少一固定元件,該固定座包括有至少一容柱槽,且該至少一固定元件容置于該至少一容柱槽內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極靶材裝置,其特征在于,其中,還包括一密封墊,配置于該中空柱狀電極殼體與該托座之間。
8.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極靶材裝置,其特征在于,其所包括的該靶材的數(shù)目是二個以上,且該二個以上的靶材圍繞該中空柱狀電極殼體的外側(cè)而配置。
9.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極靶材裝置,其特征在于,其中,該磁場單元的磁石為永久磁鐵。
10.如權(quán)利要求1所述的柱狀電極靶材裝置,其特征在于,其中,還包括一電源供應(yīng)源,與該托座電性耦接。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于富臨科技工程股份有限公司,未經(jīng)富臨科技工程股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201020194925.1/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:帶包邊搪瓷鋼板的燒成架掛鉤
- 下一篇:熱鍍鋅帶鋼邊部鍍層控制裝置
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





