[實(shí)用新型]一種用于處理SOI結(jié)構(gòu)的真空處理系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020184060.0 | 申請(qǐng)日: | 2010-04-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN201910405U | 公開(公告)日: | 2011-07-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 杜志游;劉鵬;許頌臨;陶珩;朱班 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/00 | 分類號(hào): | H01L21/00;H01L21/48 |
| 代理公司: | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王潔 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 處理 soi 結(jié)構(gòu) 真空 系統(tǒng) | ||
1.一種用于處理于絕緣體襯底上具有半導(dǎo)體材料的工藝片的真空處理系統(tǒng),其中,包括:
具有多個(gè)傳輸口的傳輸室,其中設(shè)置有至少一個(gè)工藝片傳送裝置,所述工藝片可以通過所述工藝片傳送裝置經(jīng)過上述傳輸口被傳輸;
與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的真空鎖,其用于連接所述傳輸室和外界環(huán)境,以在不損失所述傳輸室內(nèi)的真空的前提下在外界環(huán)境和所述傳輸室之間進(jìn)行工藝片傳輸;
與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的處理室,所述工藝片在所述處理室中進(jìn)行制程處理,其中,所述處理室內(nèi)設(shè)置有靜電夾持裝置,在制程處理時(shí),所述工藝片被靜電夾持于該靜電夾持裝置上;
與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的工藝片預(yù)處理室,其中,所述工藝片預(yù)處理室包括:
一個(gè)或多個(gè)工藝片支撐裝置;
一個(gè)或多個(gè)預(yù)處理裝置,其用于在工藝片被送入所述處理室處理之前或在處理的過程中對(duì)所述工藝片進(jìn)行預(yù)處理,以使得所述工藝片整體上呈現(xiàn)為平坦面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空處理系統(tǒng),其特征在于,所述預(yù)處理裝置用于對(duì)所述工藝片進(jìn)行加熱,所述真空處理系統(tǒng)還包括控制裝置,其用于檢測所述工藝片的表面溫度,當(dāng)所述工藝片的表面溫度達(dá)到一個(gè)預(yù)定閾值時(shí),則發(fā)送一個(gè)停止信號(hào)以指示所述預(yù)處理裝置停止對(duì)所述工藝片進(jìn)行加熱,以使所述工藝片平坦化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的真空處理系統(tǒng),其特征在于,所述預(yù)處理裝置是基于熱交換或輻射提供熱量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空處理系統(tǒng),其特征在于,當(dāng)所述預(yù)處理裝置的加熱機(jī)制為熱交換時(shí),所述預(yù)處理裝置包括設(shè)置于所述工藝片預(yù)處理室壁的一個(gè)或多個(gè)電阻絲,并且,所述工藝片預(yù)處理室還?包括一個(gè)氣體通入裝置,其用于對(duì)所述工藝片預(yù)處理室中通入氣體以在所述一個(gè)或多個(gè)電阻絲和所述工藝片表面提供熱交換媒介。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的真空處理系統(tǒng),其特征在于,所述氣體通入裝置還用于往所述預(yù)處理裝置中通入一熱氣體,通過所述熱氣體用于對(duì)工藝片進(jìn)行加熱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5任一項(xiàng)所述的真空處理系統(tǒng),其特征在于,所述預(yù)定閾值的數(shù)值能夠使得所述工藝片的凸起厚度小于0.5mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的真空處理系統(tǒng),其特征在于,所述的預(yù)定閾值的取值范圍為40℃~150℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空處理系統(tǒng),其特征在于,所述于絕緣體襯底上具有半導(dǎo)體材料的工藝片包括于玻璃襯底上具有半導(dǎo)體材料的工藝片。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空處理系統(tǒng),其特征在于,所述于玻璃襯底上具有半導(dǎo)體材料的工藝片包括于玻璃襯底上具有硅材料的工藝片。
10.一種用于處理于絕緣體襯底上具有半導(dǎo)體材料的工藝片的真空處理系統(tǒng),其中,包括:
具有多個(gè)傳輸口的傳輸室,其中設(shè)置有至少一個(gè)工藝片傳送裝置,所述工藝片可以通過所述工藝片傳送裝置經(jīng)過上述傳輸口被傳輸;
與所述多個(gè)傳輸口中的至少一個(gè)相聯(lián)接的處理室,所述工藝片在所述處理室中進(jìn)行制程處理,其中,所述處理室內(nèi)設(shè)置有靜電夾持裝置,在工藝處理時(shí),所述工藝片被靜電夾持于該靜電夾持裝置上;
一個(gè)與所述多個(gè)傳輸口的其中一個(gè)相聯(lián)接的真空鎖,其用于連接所述傳輸室和外界環(huán)境,以在不損失所述傳輸室內(nèi)的真空的前提下在外界環(huán)境和所述傳輸室之間進(jìn)行工藝片傳輸;所述真空鎖還包括一個(gè)或多個(gè)工藝片支撐裝置,所述真空鎖還包括一個(gè)或多個(gè)預(yù)處理裝置,
所述預(yù)處理裝置用于在工藝片被送入所述處理室處理之前或在處理的過程中對(duì)所述工藝片進(jìn)行預(yù)處理,以使得所述工藝片整體上呈?現(xiàn)為平坦面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的真空處理系統(tǒng),其特征在于,所述預(yù)處理裝置用于對(duì)所述工藝片進(jìn)行加熱,所述真空處理系統(tǒng)還包括控制裝置,其用于檢測所述工藝片的表面溫度,當(dāng)所述工藝片的表面溫度達(dá)到一個(gè)預(yù)定閾值時(shí),則發(fā)送一個(gè)停止信號(hào)以指示所述真空鎖停止對(duì)所述工藝片進(jìn)行加熱,以使所述工藝片平坦化。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的真空處理系統(tǒng),其特征在于,所述真空鎖是基于熱交換或輻射提供熱量。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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