[實用新型]雙面鍍膜鈍化電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020178743.5 | 申請日: | 2010-04-30 |
| 公開(公告)號: | CN201796924U | 公開(公告)日: | 2011-04-13 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳佰江 | 申請(專利權)人: | 寧波百事德太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/052 | 分類號: | H01L31/052;H01L31/0232 |
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| 地址: | 315450 *** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 雙面 鍍膜 鈍化 電池 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種電池,特別涉及一種雙面鍍膜鈍化電池。?
背景技術
太陽能電池主要供家庭和工業(yè)上作為電源帶動負載或給蓄電池充電。由于硅片表面比較光滑,具有較高的放射率,為了提高光的利用率,現(xiàn)有市場中的太陽能電池一般在硅片的表面做出一種陷光結構——制絨,利用單晶硅的各向異性腐蝕在硅片的表面生成金字塔的結構,這種結構雖然可以減小硅片在光下的反射率,現(xiàn)有理想的陷光結構可以使電池的反射率在13%左右,但反射率仍然較高,從而導致光能的利用率較低。?
發(fā)明內容
針對現(xiàn)有的太陽能電池的缺點,本實用新型提供一種新型的太陽能電池。?
為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型所采取的措施是:?
雙面鍍膜鈍化電池,包括電池本體,所述的電池本體正面電極和背電極的兩面上均鍍有一層氮化硅膜;?
所述的氮化硅膜厚度為75mm。?
本實用新型的有益效果:可進一步降低硅片的反射率,理想的氮?化硅減反射膜可以使反射率僅僅有4%左右,使光能的轉化效率進一步提高;可鈍化硅片中的懸掛鍵、位錯、晶界、點缺陷(空位、填隙原子、金屬雜質、氧、氮及他們的復合物)等缺陷,減少少子的復合;提高載流子遷移率20%左右,延長少子的壽命,提高了電池的短路電流和開路電壓,從而達到提高晶體硅太陽能電池的轉化效率。?
附圖說明
圖1、本實用新型的橫截面示意圖。?
圖2、本實用新型的主視圖。?
具體實施方式
請參見附圖說明其實施過程:?
圖1所示,從本專利的截面看的視圖,圖2是主視圖,一種雙面鍍膜鈍化電池,包括電池本體1,硅片3,正面電極4和背電極5,所述的電池本體1的正面電極4和背電極5的兩面上均鍍有一層氮化硅膜2,從圖中可以看出,整體的是電池本體1。氮化硅膜2附在硅片3的兩面。氮化硅膜2的作用是減少反射率,使光能的轉化效率進一步提高;所述的氮化硅膜2厚度約為75mm,這樣設計的作用是:可使折射率控制在大約2.0~2.1以內。?
雙面膜的工藝實現(xiàn),將短線清洗去處磷硅玻璃后的電池片放在石墨裝載框上,放入設備開始工藝(此時的工藝參數(shù)包括氣體的配比流量、反應速度以及反應功率值等特殊設置)。將鍍膜后的電池片翻轉后重新放在石墨裝載框開始工藝。(此時的工藝參數(shù)包括氣體的配比流量、反應速度以及反應功率值等特殊設置)。且在整個工藝的過程?中鍍一面膜時避免另一面受到干擾。對雙面鍍理想的SiNX:H膜后的電池片進行印刷電極,高溫燒結后測試,發(fā)現(xiàn)雙面鍍膜的電池短路電流有較大的提高。?
本實用新型的有益效果:可進一步降低硅片的反射率,理想的氮化硅減反射膜可以使反射率僅僅有4%左右,使光能的轉化效率進一步提高;可鈍化硅片中的懸掛鍵、位錯、晶界、點缺陷(空位、填隙原子、金屬雜質、氧、氮及他們的復合物)等缺陷,減少少子的復合;提高載流子遷移率20%左右,延長少子(少數(shù)載流子)的壽命,提高了電池的短路電流和開路電壓,從而達到提高晶體硅太陽能電池的轉化效率。?
本領域內普通的技術人員的簡單替換和更換都是本專利的保護范圍之內。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





