[實用新型]一種微型芯片

無效

• 申請號: 201020171799.8
• 申請日: 2010-04-28
• 公開（公告）號: CN201699050U
• 公開（公告）日: 2011-01-05
• 發明（設計）人: 施建江;蘭葉
• 申請（專利權）人: 杭州海鯨光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 王江成

技術領域

本實用新型涉及一種芯片，尤其是涉及一種微型芯片。

背景技術

氮化鎵（GaN）基發光二極管的發光效率隨著外延技術的提升、材料品質的改善而不斷得到提升。衡量發光二極管發光效率之一的內量子效率已幾乎接近其理論極限，也就是說半導體發光材料在電光轉換效率上已遠超過其它任何發光光源，為半導體照明奠定了堅實的基礎。中國專利公開了一種樹形GaN基LED芯片電極（授權公告號：CN?201266611Y），其包括P型電極和N型電極，對GaN外延片進行臺面刻蝕，形成P型GaN臺面和N型GaN溝槽，在P型GaN表面生長一層導電薄膜，再在導電薄膜上淀積P型電極，或者直接在P型GaN表面淀積P型電極，在溝槽內淀積N型電極，?P型電極的P型焊盤和N型電極的N型焊盤分別設置在芯片一對角線的兩頂角部位，自P型焊盤的條形電極沿芯片對角線呈樹形分布，自N型焊盤的條形電極沿芯片四周邊緣，并有條形電極伸向芯片內部；P型條形電極沿芯片對角線呈樹形分布，包括沿對角線的條形電極，以及與之相連、呈對稱分布的且平行于芯片邊緣的不少于兩條條形電極；N型條形電極包括沿芯片邊緣的邊緣電極及與一側邊緣電極相連、且平行于另一側邊緣電極伸向芯片內部的條形電極，P型電極和N型電極的形狀亦可互換，N型電極淀積在相應形狀的溝槽內。但是這種電極的封裝較為復雜，P電極區域、N電極區域的制造較為不易，制造成本較大。

實用新型內容

本實用新型是提供一種微型芯片，其主要是解決現有技術所存在的電極的制作較為復雜，P電極區域、N電極區域的制造較為不易，制造成本較大等的技術問題。

本實用新型的上述技術問題主要是通過下述技術方案得以解決的：

本實用新型的一種微型芯片，包括殼體，其特征在于所述的殼體為二氧化硅保護層，二氧化硅保護層為矩形，其中一個角上設有扇形的N電極部位，與此相對的角上設有圓形的P電極部位，二氧化硅保護層下方設有透明接觸電極層，P電極部位、N電極部位的下方分別設有P型GaN、N型GaN，N型GaN的下方依次設有襯底、發射層。P電極區域、P型GaN與N電極區域、N型GaN可以互換，二氧化硅保護層上可以開有溝槽，用來固定P電極部位與N電極部位。P電極部位、N電極部位的中心點都處在二氧化硅保護層的對角線上。

作為優選，所述的二氧化硅保護層為邊長為300μm的正方形，扇形的N電極部位的半徑為100μm。整體尺寸較小，適用于不同的電子元器件。

作為優選，所述的P型GaN與N型GaN之間設有發光層，可以在使用時發光。

作為優選，所述的襯底為藍寶石襯底。

因此，本實用新型電極的制作較為簡單，P電極部位、N電極部位的制造較為容易，制造成本較低，具有結構簡單、合理等特點。

附圖說明

附圖1是本實用新型的一種結構示意圖；

附圖2是本實用新型的剖面結構示意圖。

圖中零部件、部位及編號：二氧化硅保護層1、N電極部位2、P電極部位3、透明接觸電極層4?、P型GaN5、N型GaN6、襯底7、發射層8、發光層9。

具體實施方式

下面通過實施例，并結合附圖，對本實用新型的技術方案作進一步具體的說明。

實施例：本例的一種微型芯片，有一個正方形的二氧化硅保護層1，其邊長為300μm。二氧化硅保護層其中一個角上設有扇形的N電極部位2，與此相對的角上設有圓形的P電極部位3，扇形的N電極部位2的半徑為160.25μm。二氧化硅保護層下方設有透明接觸電極層4，P電極部位、N電極部位的下方分別設有P型GaN5、N型GaN6，P型GaN5與N型GaN6之間設有發光層9。N型GaN的下方依次設有藍寶石的襯底7、發射層8。

使用時，將整個芯片制作機構裝入電子元器件，接通P電極部位3?、N電極部位2即可。?

以上所述僅為本實用新型的具體實施例，但本實用新型的結構特征并不局限于此，任何本領域的技術人員在本實用新型的領域內，所作的變化或修飾皆涵蓋在本實用新型的專利范圍之中。