[實(shí)用新型]一種大型芯片無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020171798.3 | 申請日： | 2010-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN201699051U | 公開（公告）日： | 2011-01-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 施建江;蘭葉 | 申請（專利權(quán)）人： | 杭州海鯨光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 杭州杭誠專利事務(wù)所有限公司 33109 | 代理人： | 王江成 |
| 地址： | 311222 浙江省杭州市蕭山*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 大型 芯片 | ||
1.一種大型芯片，包括殼體，其特征在于所述的殼體為二氧化硅保護(hù)層（1），二氧化硅保護(hù)層上設(shè)有P電極區(qū)域與N電極區(qū)域，二氧化硅保護(hù)層下方設(shè)有透明接觸電極層（4），P電極區(qū)域、N電極區(qū)域的下方分別設(shè)有P型GaN（5）、N型GaN（6），N型GaN的下方依次設(shè)有襯底（7）、反射層（8）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種大型芯片，其特征在于所述的P電極區(qū)域?yàn)椤吧健弊中停鋬啥说霓D(zhuǎn)角處為圓形的P電極部位（2）；N電極區(qū)域由主引線以及四根平行的支引線組成，支引線與主引線垂直，其兩端的轉(zhuǎn)角處為矩形的N電極部位（3），N電極區(qū)域與P電極區(qū)域互相交錯設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種大型芯片，其特征在于所述的P型GaN（5）與N型GaN（6）之間設(shè)有發(fā)光層（9）。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種大型芯片，其特征在于所述的襯底（7）為藍(lán)寶石襯底。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種大型芯片，其特征在于所述的二氧化硅保護(hù)層（1）為正方形，其邊長為1200μm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于杭州海鯨光電科技有限公司，未經(jīng)杭州海鯨光電科技有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201020171798.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
