[實(shí)用新型]一種硅基復(fù)合襯底無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020168794.X | 申請(qǐng)日： | 2010-03-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN201741713U | 公開(kāi)（公告）日： | 2011-02-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 施建江;楊少延;劉祥林 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 杭州海鯨光電科技有限公司;施建江 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/12 | 分類號(hào)： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陶鳳波;屈玉華 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市蕭山*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 復(fù)合 襯底 | ||
1.一種用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的硅基復(fù)合襯底，其特征在于，包含：
一硅單晶基底；
一復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層，形成在所述硅單晶基底上，所述復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層由氮化鋁和氮化鈦單晶薄膜材料彼此多次交疊構(gòu)成；
一氮化鎵模板層，形成在所述復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層上，所述氮化鎵模板層由氮化鎵單晶薄膜材料構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的硅基復(fù)合襯底，其特征在于，其中所述復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層中氮化鈦層每層的厚度不大于氮化鋁層每層厚度的1/3。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的硅基復(fù)合襯底，其特征在于，其中所述復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層中氮化鋁層每層的厚度為15～90nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的硅基復(fù)合襯底，其特征在于，其中所述復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層中氮化鋁層的層數(shù)為2～10層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的硅基復(fù)合襯底，其特征在于，其中所述復(fù)合應(yīng)力協(xié)變層中各氮化鈦層分別插入到各氮化鋁層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制備氮化物半導(dǎo)體外延材料的硅基復(fù)合襯底，其特征在于，其中所述氮化鎵模板層的厚度不小于1μm。?
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件；專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的，例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
