[實用新型]大功率的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201020168042.3
• 申請日: 2010-04-23
• 公開（公告）號: CN201796941U
• 公開（公告）日: 2011-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭暉
• 申請（專利權(quán)）人: 金芃;彭暉
• 主分類號: H01L33/36
• 分類號: H01L33/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種大功率的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片，包括：生長襯底、半導(dǎo)體外延層、透明電極、鈍化層、電極；其中，所述的半導(dǎo)體外延層包括，N-類型限制層、活化層、P-類型限制層；其中，所述的N-類型限制層形成在所述的生長襯底上，所述的活化層形成在所述的N-類型限制層上，所述的P-類型限制層形成在所述的活化層上；所述的透明電極形成在所述的P-類型限制層上；所述的半導(dǎo)體外延層的預(yù)定的位置上形成至少一個半導(dǎo)體外延層半通槽，所述的半導(dǎo)體外延層半通槽穿過所述的透明電極、所述的P-類型限制層和所述的活化層，所述的半導(dǎo)體外延層半通槽的底部是所述的N-類型限制層；所述的鈍化層形成在所述的透明電極上并且覆蓋所述的半導(dǎo)體外延層半通槽的側(cè)面和底面；在所述的鈍化層的覆蓋所述的半導(dǎo)體外延層半通槽的底面的部分的預(yù)定的位置上形成至少一個N-半通槽，使得所述的N-類型限制層在所述的N-半通槽中暴露；在所述的鈍化層的預(yù)定的位置上形成至少一個P-半通槽，所述的P-半通槽穿過所述的鈍化層，所述的P-半通槽的底部是所述的透明電極，使得所述的透明電極在所述的P-半通槽中暴露；所述的電極包括，至少一個N-打線焊盤、至少一個P-打線焊盤、至少一個N-非有效條形電極、至少一個N-混合條形電極；至少一個P-非有效條形電極、至少一個P-混合條形電極；所述的N-打線焊盤和所述的P-打線焊盤分別形成在所述的鈍化層預(yù)定的位置上；所述的N-非有效條形電極和所述的P-非有效條形電極分別形成在所述的鈍化層預(yù)定的位置上；所述的N-混合條形電極包括N-有效電極部分和N-非有效電極部分，所述的N-非有效電極部分形成在所述的鈍化層上，所述的N-有效電極部分形成在所述的N-半通槽中的暴露的N-類型限制層上；所述的P-混合條形電極包括P-有效電極部分和P-非有效電極部分，所述的P-非有效電極部分形成在所述的鈍化層上，所述的P-有效電極部分形成在所述的P-半通槽的底部的暴露的透明電極上。

2.權(quán)利要求1的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，多個所述的N-有效電極部分基本互相平行。

3.權(quán)利要求1的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，多個所述的P-有效電極部分基本互相平行。

4.權(quán)利要求1的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，相鄰的所述的N-有效電極部分和所述的P-有效電極部分基本互相平行。

5.權(quán)利要求1的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的半導(dǎo)體外延層和所述的透明電極之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀和尺寸分別與所述的N-打線焊盤和P-打線焊盤相對應(yīng)。

6.權(quán)利要求1的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的鈍化層和所述的透明電極之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀和尺寸分別與所述的N-打線焊盤和P-打線焊盤相對應(yīng)。

7.權(quán)利要求1的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的半導(dǎo)體外延層和所述的透明電極之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀與尺寸分別與所述的N-非有效條形電極和P-非有效條形電極相對應(yīng)。

8.權(quán)利要求1的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的鈍化層和所述的透明電極之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀與尺寸分別與所述的N-非有效條形電極和P-非有效條形電極相對應(yīng)。

9.權(quán)利要求1的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的半導(dǎo)體外延層和所述的透明電極之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀與尺寸分別與所述的N-非有效電極部分和所述的P-非有效電極部分相對應(yīng)。

10.權(quán)利要求1的橫向結(jié)構(gòu)LED芯片，其特征在于，所述的鈍化層和所述的透明電極之間形成反射層；所述的反射層的位置、形狀與尺寸分別與所述的N-非有效電極部分和所述的P-非有效電極部分相對應(yīng)。