[實用新型]一種兩次印刷電極的太陽能電池無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020166099.X | 申請日: | 2010-04-20 |
| 公開(公告)號: | CN201655816U | 公開(公告)日: | 2010-11-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 盛健 | 申請(專利權(quán))人: | 常州天合光能有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/042 | 分類號: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/0352 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213031 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 兩次 印刷 電極 太陽能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及晶體硅太陽能電池領(lǐng)域,尤其是一種兩次印刷電極的太陽能電池。
背景技術(shù)
常規(guī)制作的太陽能電池通常只印刷一次電極,但是這種太陽能電池的串聯(lián)電阻較高,影響電池轉(zhuǎn)換效率,也有在太陽能電池表面印刷兩次電極的,雖然采用兩次印刷電極有利于減少柵線的導電電阻,降低電池的串聯(lián)電阻,但是這種兩次印刷電極所形成的雙層電極的印刷高度太高,電極柵線處的銀電極漿料在燒結(jié)過程中容易鋪張,增加了電池的遮光面積。
實用新型內(nèi)容
本實用新型要解決的技術(shù)問題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種兩次印刷電極的太陽能電池,電池的串聯(lián)電阻較低,能減少遮光損失,而且具有選擇性發(fā)射極,電極與發(fā)射極的接觸面積大,太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率較高。
本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種兩次印刷電極的太陽能電池,具有硅片,硅片表面分為電極柵線區(qū)域和電極非柵線區(qū)域,所述的電極柵線區(qū)域刻有蝕槽,蝕槽內(nèi)具有填充電極漿料形成的第一層電極,第一層電極外表面具有再次印刷電極后在硅片表面電極柵線區(qū)域形成的第二層電極。
進一步地,所述的蝕槽下方及兩側(cè)邊具有N++重擴散區(qū),電極非柵線區(qū)域具有N+淺擴散區(qū)。
進一步地,所述的硅片表面分為正面電極的電極柵線區(qū)域和正面電極的電極非柵線區(qū)域,所述的正面電極的電極柵線區(qū)域刻有蝕槽,蝕槽內(nèi)具有填充銀電極漿料形成的正面的第一層電極,正面的第一層電極的外表面具有再次印刷銀電極后在硅片表面電極柵線區(qū)域形成的正面的第二層電極。
進一步地,所述的硅片背表面分為背面電極的電極區(qū)域和背面電極的非電極區(qū)域,所述的背面電極的電極區(qū)域刻有蝕槽,蝕槽內(nèi)具有填充銀電極漿料形成的背面的第一層電極,背面的第一層電極的外表面具有再次印刷銀電極后在硅片背表面電極區(qū)域形成的背面的第二層電極。
本實用新型的有益效果是:本實用新型的硅片表面具有兩層電極即第一層電極與第二層電極,增加了電極的導電截面積,電極與發(fā)射極的接觸面積大,降低了電池的串聯(lián)電阻。第一層電極在蝕槽內(nèi)形成,使得電極的表面高度只有第二層電極的高度,在燒結(jié)過程中電極漿料不易鋪張,能減少遮光損失,而且本實用新型具有N++重擴散區(qū)和N+淺擴散區(qū),形成選擇性發(fā)射極,提高電池的短波響應,因此太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率較高。
附圖說明
下面結(jié)合附圖對本實用新型進一步說明。
圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
其中:1.第一層電極,2.第二層電極,3.N++重擴散區(qū),4.N+淺擴散區(qū),6.P型襯底。
具體實施方式
如圖1所示的一種兩次印刷電極的太陽能電池,具有硅片,硅片采用P型襯底6。硅片表面正面電極的電極柵線區(qū)域刻有蝕槽,蝕槽內(nèi)填充銀電極漿料形成第一層電極1,第一層電極1外表面印刷有第二層電極2,蝕槽下方及兩側(cè)邊具有N++重擴散區(qū)3,硅片表面正面電極的電極非柵線區(qū)域具有N+淺擴散區(qū)4。N+淺擴散區(qū)4上方具有二氧化硅膜及減反SiNx膜,P型襯底6背面印刷有背面電極及背面鋁背場。
本實用新型的硅片表面具有兩層正面電極,電池的串聯(lián)電阻較低。第一層電極1在蝕槽內(nèi)形成,使得正面電極的表面高度只有第二層電極2的高度,在燒結(jié)過程中銀電極漿料不易鋪張,本實用新型具有N++重擴散區(qū)3和N+淺擴散區(qū)4,形成選擇性發(fā)射極,太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率較高。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





