[實用新型]一種低溫沉積大面積類金剛石薄膜的裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201020154843.4 | 申請日: | 2010-04-12 |
| 公開(公告)號: | CN201756583U | 公開(公告)日: | 2011-03-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 錢鋒;林晶;何光發(fā);楊海友 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市天星達真空鍍膜設(shè)備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/27 | 分類號: | C23C16/27;C23C16/505 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518172 廣東省深圳市龍崗*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 低溫 沉積 大面積 金剛石 薄膜 裝置 | ||
1.一種低溫沉積大面積類金剛石薄膜的裝置,它包括上電極、下電極、勻氣裝置、抽氣調(diào)節(jié)閥、分子泵、直聯(lián)機械泵、凈化閥、充氣罐、氣瓶和負偏壓監(jiān)測儀,其特征在于上電極、下電極、勻氣裝置放在真空室中,通過抽氣調(diào)節(jié)閥同分子泵和直聯(lián)機械泵相連接,分子泵連接凈化閥,凈化閥分別連接充氣罐和氣瓶,充氣罐通過勻氣裝置連接到真空室內(nèi),負偏壓監(jiān)測儀膜和射頻電源分別連接上電極和下電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低溫沉積大面積類金剛石薄膜的裝置,其特征在于所述的射頻電源在上電極、下電極間形成等離子區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種低溫沉積大面積類金剛石薄膜的裝置,其特征在于所述的直聯(lián)機械泵、凈化閥、充氣罐構(gòu)成氣體沖洗管路,反應(yīng)氣體由氣瓶通過凈化閥、充氣罐、勻氣裝置充入到真空室內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種低溫沉積大面積類金剛石薄膜的裝置,其特征在于所述的充氣罐兩邊均設(shè)置有抽氣調(diào)節(jié)閥。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種低溫沉積大面積類金剛石薄膜的裝置,其特征在于所述的上電極、下電極采用水冷銅電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種低溫沉積大面積類金剛石薄膜的裝置,其特征在于所述的勻氣裝置為三級耙式結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種低溫沉積大面積類金剛石薄膜的裝置,其特征在于所述的調(diào)節(jié)抽氣閥為步進電機控制電動該板閥。?
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





