[實(shí)用新型]MEMS傳感器無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201020154572.2 | 申請(qǐng)日： | 2010-03-11 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN201610373U | 公開（公告）日： | 2010-10-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李剛;胡維 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州敏芯微電子技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B81B7/02 | 分類號(hào)： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 楊林潔 |
| 地址： | 215006 江蘇省蘇州市工業(yè)園*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | mems 傳感器 | ||
1.一種MEMS傳感器，其特征在于：包括單晶硅片以及覆蓋在單晶硅片上且用以感受外界壓力的單晶硅薄膜，所述單晶硅片包括正面、背面、自正面向下延伸的剖面為倒三角形狀的網(wǎng)狀硅膜、位于網(wǎng)狀硅膜下方且與網(wǎng)狀硅膜連通的腔體、自背面凹設(shè)的背腔及連通腔體與背腔的深槽，所述單晶硅薄膜覆蓋在單晶硅片的正面且與網(wǎng)狀硅膜相接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述MEMS傳感器包括形成在單晶硅薄膜上的壓阻。
3.如權(quán)利要求2所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述MEMS傳感器包括覆蓋在單晶硅薄膜上的鈍化層及與壓阻相連接的金屬走線及金屬壓點(diǎn)，其中，金屬走線穿過鈍化層。
4.如權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述金屬壓點(diǎn)突出鈍化層。
5.如權(quán)利要求1所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述深槽沿豎直方向延伸。
6.如權(quán)利要求5所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述腔體形成于單晶硅片的內(nèi)部，所述深槽位于腔體的一側(cè)。
7.如權(quán)利要求5所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述背腔與腔體相互偏移。
8.如權(quán)利要求3所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述單晶硅片包括質(zhì)量塊以及懸臂梁，所述壓阻位于懸臂梁上。
9.如權(quán)利要求8所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述質(zhì)量塊貫穿鈍化層。
10.如權(quán)利要求8所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述懸臂梁為一根或多根。
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