[實用新型]MEMS傳感器

無效

• 申請號: 201020154572.2
• 申請日: 2010-03-11
• 公開（公告）號: CN201610373U
• 公開（公告）日: 2010-10-20
• 發明（設計）人: 李剛;胡維
• 申請（專利權）人: 蘇州敏芯微電子技術有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種MEMS傳感器，其特征在于：包括單晶硅片以及覆蓋在單晶硅片上且用以感受外界壓力的單晶硅薄膜，所述單晶硅片包括正面、背面、自正面向下延伸的剖面為倒三角形狀的網狀硅膜、位于網狀硅膜下方且與網狀硅膜連通的腔體、自背面凹設的背腔及連通腔體與背腔的深槽，所述單晶硅薄膜覆蓋在單晶硅片的正面且與網狀硅膜相接觸。

2.如權利要求1所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述MEMS傳感器包括形成在單晶硅薄膜上的壓阻。

3.如權利要求2所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述MEMS傳感器包括覆蓋在單晶硅薄膜上的鈍化層及與壓阻相連接的金屬走線及金屬壓點，其中，金屬走線穿過鈍化層。

4.如權利要求3所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述金屬壓點突出鈍化層。

5.如權利要求1所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述深槽沿豎直方向延伸。

6.如權利要求5所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述腔體形成于單晶硅片的內部，所述深槽位于腔體的一側。

7.如權利要求5所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述背腔與腔體相互偏移。

8.如權利要求3所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述單晶硅片包括質量塊以及懸臂梁，所述壓阻位于懸臂梁上。

9.如權利要求8所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述質量塊貫穿鈍化層。

10.如權利要求8所述的MEMS傳感器，其特征在于：所述懸臂梁為一根或多根。