[實用新型]大功率LED的封裝結構有效
| 申請號： | 201020152620.4 | 申請日： | 2010-04-01 |
| 公開（公告）號： | CN201758138U | 公開（公告）日： | 2011-03-09 |
| 發明（設計）人： | 李玉芝;吉愛華 | 申請（專利權）人： | 濰坊廣生新能源有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/50;H01L33/64 |
| 代理公司： | 濰坊正信專利事務所 37216 | 代理人： | 石譽虎 |
| 地址： | 261061 山東省*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 大功率 led 封裝 結構 | ||
1.大功率LED的封裝結構，其特征在于：包括
金屬基板；
導熱層，所述導熱層設于所述金屬基板的上表面；
絕緣層，所述絕緣層設于所述導熱層的上表面；
電極片，所述電極片包括正電極片和負電極片，所述正電極片和負電極片固定在所述絕緣層的上表面上；
芯片體，所述芯片體包括內置LED芯片和包覆在所述LED芯片外圍的熒光膠層，所述LED芯片的正、負極引腳伸出所述熒光膠層外，所述芯片體固定在所述絕緣層上且所述正負極引腳分別與所述正電極片和負電極片連接。
2.如權利要求1所述的大功率LED的封裝結構，其特征在于：所述金屬基板的底面設有若干附有氧化銠層的散熱槽。
3.如權利要求1或2所述的大功率LED的封裝結構，其特征在于：所述導熱層和所述絕緣層為采用氮化鋁陶瓷材料的氮化鋁陶瓷層。
4.如權利要求1或2所述的大功率LED的封裝機構，其特征在于：所述導熱層為采用氮化鋁陶瓷材料的氮化鋁陶瓷層，所述絕緣層為采用絕緣薄膜材料的絕緣薄膜層。
5.如權利要求3所述的大功率LED的封裝結構，其特征在于：所述電極片的正電極片包括若干個第一金屬片，所述第一金屬片通過導線串聯且所述第一金屬片排布成弧狀；所述電極片的負電極片包括若干個第二金屬片，所述第二金屬片通過導線串聯且所述第二金屬片排布成弧狀。
6.如權利要求3所述的大功率LED的封裝結構，其特征在于：所述金屬基板為鋁基板。?
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