[實用新型]生產平板太陽能吸熱鍍膜板的立式鍍膜裝置

無效

• 申請號: 201020147131.X
• 申請日: 2010-03-31
• 公開（公告）號: CN201648514U
• 公開（公告）日: 2010-11-24
• 發明（設計）人: 甘國工
• 申請（專利權）人: 甘國工
• 主分類號: C23C14/56
• 分類號: C23C14/56
• 代理公司: 成都立信專利事務所有限公司 51100
• 代理人: 江曉萍

技術領域：

本實用新型涉及太陽能光熱利用領域，特別涉及的是生產平板太陽能吸熱鍍膜板的立式鍍膜裝置。

背景技術：

太陽能資源是21世紀的新能源，太陽能制冷、太陽能熱水器、太陽能發電、海水凈化等都是重要的應用領域。選擇性吸熱薄膜具有可見光-近紅外光區高吸收率、紅外光區高反射率的性能優點，其生產方法及裝置成為太陽能利用技術的重要研究方向。目前所采用太陽能選擇性吸熱薄膜的生產方法有以下幾種類型，且都具有相應的局限性：

玻璃管真空管型：將直徑不同的兩個玻璃管的兩端封接在一起，兩管之間的空間形成封接時抽成真空，內管的外壁沉積有太陽能吸熱涂層，吸收太能輻射能而使溫度升高，內部通水帶走熱能，完成光熱轉換過程。其不足之處在于：碰撞易碎，斷水時干燒易炸管，同時在建筑節能一體化時不宜作為建筑外壁、房頂。

普通平板吸熱涂層：采用電鍍、刷涂等方式在金屬基片上形成吸熱涂層，其不足之處在于外紅光發射率高，太陽能吸收率低，太陽能利用效率低，同時這種生產方式對環境有一定污染。

電子槍蒸發和離子源輔助的方式沉積太陽能吸熱涂層，這種方式具有沉積速率高的優勢。其缺點是單個電子槍所獲得的鍍材的蒸發云不足以覆蓋基片的幅寬，需兩支電子槍合并使用才能滿足寬度上的均勻性，同時由于沉積速率高，膜層厚度控制困難，對于沉積金屬層厚度僅為10nm左右的介質-金屬干涉膜組類型的太陽吸熱膜層，光學厚度精度在2至3nm左右時的控制更難實現。

已有的連續鍍膜裝置如中國專利200420077693.6所述，是一種對圓形玻璃管鍍膜，整個生產線從出口到進口到連續鍍膜室如其權利要求1所述“構成閉環”，工件還要自轉，無法生產大面積(單張鍍膜板的長度方向大于600毫米、寬度方向大于300毫米)的平板太陽能吸熱鍍膜板。

實用新型內容：

鑒于以上原因，本實用新型的目的是為了克服以上不足，提供一種生產效率高的、膜層厚度控制方便、工藝實現靈活、生產大面積(單張鍍膜板的長度方向大于600毫米、寬度方向大于300毫米)的平板太陽能吸熱鍍膜板、環境污染程度小、高效率的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的立式鍍膜裝置。

本實用新型的目的是這樣來實現的：

本實用新型生產平板太陽能吸熱鍍膜板的立式鍍膜裝置，包括前真空鎖定室、前保持室、至少有3組磁控濺射靶與相應的濺射腔室的能在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層、或者在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層、以此在基片上形成太陽能吸收功能膜的連續鍍膜室、后保持室、后真空鎖定室，磁控濺射靶及靶材，電源，工藝氣體進氣管及控制系統，真空抽氣系統，其特征是有能掛一片或多片金屬基片的由型材或金屬板組成的載片架，帶動載片架行進的減速機拖動傳送機構是與減速機相連的被磁流體密封的帶弧形槽的凹輪與載片架下部的圓桿狀底部組成的或平輪與載片架下部的底部組成的，載片架上端部的一側或兩側設置有基片掛鉤，載片架的上部有磁極懸浮穩定機構或是載片架傾斜10°以內上部靠在靠輪上以保持載片架在立式鍍膜裝置各室的中央部位直線行進的穩定機構，在連續鍍膜室的箱體上每組濺射腔室位置上至少在掛在載片架上的基片的一側布置有磁控濺射靶，在大氣與前真空鎖定室之間、后真空鎖定室與大氣之間有真空閥門，前真空鎖定室與前保持室之間，后保持室與后真空鎖定室之間有真空閥門，前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間有讓載片架分批次按生產節奏進入連續鍍膜室或退出連續鍍膜室的真空閥門。基片懸掛在一個矩形的基片載片架上，在鍍膜裝置內部傳送系統上直線行進，基片載片架上端部的一側或兩側設置有基片掛鉤，一個掛鉤上只能掛一張基片，基片載片架頂部安裝有永磁體，其磁極與安裝在同一水平高度箱體兩側的靠近基片載片架的永磁體磁極的極性相同，受到兩側相等磁場斥力，使得基片載片架垂直立于中心線而不向側面傾斜。立式鍍膜裝置箱底部安裝著外周面帶弧形凹槽的傳送凹輪或平輪，減速機與凹輪或平輪相連，之間用磁流體密封隔開，這些轉輪外周面的弧形凹槽的中心線在一條直線上，成為基片載片架圓桿狀底部邊框嵌在里面而行進的軌道。該裝置能在金屬基片上磁控濺射沉積太陽能吸收功能膜層，即從基片向外依次沉積紅外光波反射層(金屬膜)/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層(介質膜)，或者從基片向外依次沉積紅外光波反射層(金屬膜)/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層(介質膜)。裝置包括至少5個鍍膜功能室，分為前真空鎖定室、前保持室、連續鍍膜室(前、后部分別設有緩沖室)、后保持室、后真空鎖定室，它們之間有真空閥門，這些閥門的開啟和關閉使各室都能建立起鍍膜工藝所需的1-9×10-1Pa真空度，在大氣與前(后)真空鎖定室之間，前(后)真空鎖定室與前(后)保持室之間閥門開啟關閉，載片架在轉動輪的傳送下呈一架一架的或一批一批的方式有節奏的快速進入(退出)各室，前(后)保持室與連續鍍膜室之間的閥門開啟關閉，載片架在轉動輪的傳送下呈一架一架的或一批次多架的方式有節奏的快速的進入(退出)連續鍍膜室。